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제1 전극;상기 제1 전극과 이격하는 제2 전극;상기 제2 전극의 하부에 배치되는 타겟;상기 제1 전극 상의 에미터; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 상기 에미터와 수직으로 대응되는 위치에 개구부를 포함하는 제3 전극; 및상기 제3 전극 상에 제공되고, 상기 제2 전극을 둘러싸는 스페이서(Spacer)를 포함하고,상기 스페이서는 상기 제3 전극과 인접하게 배치되는 제1 부분 및 상기 제1 부분 상에 배치되는 제2 부분을 포함하고,상기 스페이서는 세라믹 절연체 및 상기 세라믹 절연체 내에 분산된 전도성 도펀트들을 포함하되,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 전도성 도펀트들의 농도는 상기 제2 부분의 전도성 도펀트들의 농도보다 크고,상기 제3 전극은 상기 스페이서의 상기 제1 부분과 접촉하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 제1 내지 제3 전극들은 각각 금속을 포함하고,상기 제3 전극은 상기 제2 전극과 가장 인접하게 배치되는 금속 전극인 엑스선 튜브
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제1 항에 있어서,상기 스페이서의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분의 접점의 레벨은 상기 타겟의 최하부의 레벨보다 낮은 엑스선 튜브
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4
제1항에 있어서,상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 사이에 개재되는 제4 전극을 더 포함하고,상기 제4 전극은 상기 제3 전극보다 상기 제2 전극에 인접하게 배치되는 엑스선 튜브
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5
제1항에 있어서,상기 세라믹 절연체는 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 및 이트리아(Y2O3) 중 어느 하나를 포함하고,상기 전도성 도펀트는 티타니아(TiO2)를 포함하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 체적 저항율은 상기 제2 부분의 체적 저항율보다 작은 엑스선 튜브
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7
제1항에 있어서,상기 스페이서의 상기 제1 부분은 1012Ω？cm 이하의 비저항을 가지고, 상기 스페이서의 상기 제2 부분은 1012Ω？cm 초과의 비저항을 가지는 엑스선 튜브
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8
제1항에 있어서,상기 스페이서는 원통형의 튜브 형상을 가지고,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 외주면 상에 제공되는 금속 막을 더 포함하고,상기 금속 막은 접지 전원과 연결되는 엑스선 튜브
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9
제8항에 있어서,상기 금속 막은 상기 스페이서의 상기 제1 부분과 접촉하는 엑스선 튜브
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제8항에 있어서,상기 금속 막은 상기 스페이서의 상기 제1 부분과 전기적으로 연결되는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 세라믹 절연체는 알루미나(Al2O3)를 포함하고, 상기 전도성 도펀트는 티타니아(TiO2)를 포함하되,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 상기 티타니아(TiO2)의 농도는 2wt% 이상이고,상기 스페이서의 상기 제2 부분의 상기 티타니아(TiO2)의 농도는 0 초과 2 wt% 미만인 엑스선 튜브
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12
제1항에 있어서,상기 스페이서 및 상기 제3 전극 사이에 개재되는 도전 구조체를 더 포함하고,상기 도전 구조체는 코바(Kovar) 합금을 포함하는 엑스선 튜브
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제12항에 있어서,상기 도전 구조체는 튜브(tube) 형상을 가지되, 구부러진 형태를 가지고,상기 도전 구조체를 관통하는 윈도우(window)를 더 포함하는 엑스선 튜브
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14
캐소드 전극;상기 캐소드 전극과 수직으로 이격하는 애노드 전극;상기 애노드 전극의 하부에 배치되는 타겟;상기 캐소드 전극 상의 에미터; 및 상기 캐소드 전극 상에 제공되고, 상기 애노드 전극을 둘러싸는 스페이서(Spacer)를 포함하고,상기 스페이서는 세라믹 절연체 및 상기 세라믹 절연체 내에 분산된 전도성 도펀트들을 포함하고, 상기 스페이서는 상기 캐소드 전극과 인접하게 배치되는 제1 부분 및 상기 제1 부분 상에 배치되는 제2 부분을 포함하되,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 전도성 도펀트들의 농도는 상기 제2 부분의 전도성 도펀트들의 농도보다 크고,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 최하부의 레벨은 상기 에미터의 최상부의 레벨 이상인 엑스선 튜브
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15
캐소드 전극;상기 캐소드 전극과 수직으로 이격하는 애노드 전극;상기 애노드 전극의 하부에 배치되는 타겟;상기 캐소드 전극 상의 에미터; 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이에 위치하고 상기 에미터와 수직으로 대응되는 위치에 개구부를 포함하는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 상에 제공되고, 상기 애노드 전극을 둘러싸는 스페이서(Spacer)를 포함하고,상기 스페이서는 상기 게이트 전극과 인접하게 배치되는 제1 부분 및 상기 제1 부분 상에 배치되는 제2 부분을 포함하고,상기 스페이서의 상기 제1 부분은 제1 세라믹 절연체를 포함하고, 상기 제2 부분은 제2 세라믹 절연체를 포함하고,상기 제1 세라믹 절연체는 상기 제2 세라믹 절연체와 다른 금속 산화물을 포함하되 상기 제1 세라믹 절연체의 비저항은 상기 제2 세라믹 절연체의 비저항보다 작고,상기 스페이서의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분의 접점의 레벨은 상기 타겟의 최하부의 레벨보다 낮은 엑스선 튜브
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제15항에 있어서,상기 제1 세라믹 절연체에 분산되는 전도성 도펀트들을 더 포함하는 엑스선 튜브
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제15항에 있어서,상기 스페이서의 상기 제1 부분은 1012Ω？cm 이하의 비저항을 가지고, 상기 스페이서의 상기 제2 부분은 1012Ω？cm 초과의 비저항을 가지는 엑스선 튜브
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제15항에 있어서,상기 스페이서는 원통형의 튜브 형상을 가지고,상기 스페이서의 상기 제1 부분의 외주면 상에 제공되는 금속 막을 더 포함하고,상기 금속 막은 접지 전원과 연결되는 엑스선 튜브
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제15항에 있어서,상기 스페이서 및 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 도전 구조체를 더 포함하고,상기 도전 구조체는 코바(Kovar) 합금을 포함하고,상기 도전 구조체는 접지 전원과 연결되는 엑스선 튜브
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제19항에 있어서,상기 도전 구조체는 튜브(tube) 형상을 가지되, 구부러진 형태이고,상기 도전 구조체를 관통하는 윈도우(window)를 더 포함하는 엑스선 튜브
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