1 |
1
기판 전면 상에 하부 보호층을 형성하는 단계;상기 하부 보호층 상에 실리콘(Si) 박막을 형성하는 실리콘 박막 형성 단계;상기 실리콘 박막을 탄화수소 가스 분위기에서 열처리하여, 실리콘 박막 상에 탄화실리콘(SiC) 박막이 형성된 구조의 다층막을 형성하는 다층막 형성 단계; 및상기 기판의 후면 일부를 식각하여 상기 하부 보호층 일부를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 다층막 형성 단계는,상기 실리콘 박막을 탄화수소 가스 분위기에서 급속 열처리하여, 상기 실리콘 박막 상에 탄화실리콘(SiC) 박막과 탄소(Carbon) 박막이 순차적으로 형성된 구조의 다층막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 탄소 박막은 그래핀(Graphene) 박막인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 그래핀 박막은 다층 그래핀 박막인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
5 |
5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다층막 형성 단계 이후에,상기 다층막 상에 상부 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
6 |
6
제5항에 있어서,상기 상부 보호층 및 상기 하부 보호층 중 적어도 하나의 보호층은 질화실리콘(SiN)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
7 |
7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리는 급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP)인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
8 |
8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘 박막 형성 단계는,상기 하부 보호층 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
9 |
9
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다층막을 구성하는 실리콘 박막은 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
10 |
10
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄화수소 가스의 탄소-탄소 결합 중 적어도 하나는 이중 결합 또는 삼중 결합이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 탄화수소 가스는 에틸렌(C2H4) 가스 및 아세틸렌(C2H2) 중 적어도 하나의 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
12 |
12
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄화실리콘 박막은 β-SiC을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
13 |
13
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다층막 형성 단계는,1000 ~ 1300 ℃ 범위의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체 제조 방법
|
14 |
14
기판;상기 기판 상에 형성되는 하부 보호층; 및상기 하부 보호층 상에 형성되며, 실리콘(Si) 박막 상에 탄화실리콘(SiC) 박막이 형성된 구조의 다층막;을 포함하며,상기 다층막은 상기 하부 보호층 상에 실리콘 박막을 형성한 후, 탄화수소 가스 분위기에서 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체
|
15 |
15
제14항에 있어서,상기 다층막은,실리콘 박막 상에 탄화실리콘 박막과 탄소 박막이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체
|
16 |
16
제15항에 있어서,상기 탄소 박막은 그래핀(Graphene) 박막인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체
|
17 |
17
제16항에 있어서,상기 그래핀 박막은 다층 그래핀 박막인 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체
|
18 |
18
제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄화실리콘 박막은 β-SiC을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 펠리클 구조체
|