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고정-연마재 패드에 있어서,고분자 소재의 패드; 및일측이 상기 패드에 함침되고, 타측이 상기 패드에서 돌출되는 수직으로 정렬된 탄소나노튜브(vertically aligned carbon nanotube, VACNT)를 포함하는, 고정-연마재 패드
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제1항에 있어서,상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브의 직경은, 1나노미터(nm)에서 500나노미터(nm) 사이의 크기를 갖는, 고정-연마재 패드
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제2항에 있어서,상기 수직 정렬된 탄소나노튜브의 길이는, 최대 1000 마이크로미터(μm)이며,상기 패드에서 돌출되는 부분의 길이는, 최대 500 나노미터(nm)인, 고정-연마재 패드
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제1항에 있어서,상기 패드는, 폴리우레탄인 고정-연마재 패드
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고정-연마재 패드의 제작 방법에 있어서,기판 상에 수직으로 정렬된 탄소나노튜브를 합성하는 단계;상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브를 폴리우레탄에 함침시키는 단계;상기 기판을 제거하는 단계; 및상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브의 일측을 돌출시키는 단계를 포함하는, 방법
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제5항에 있어서,상기 기판 상에 수직으로 정렬된 탄소나노튜브를 합성하는 단계는,상기 기판 위에 촉매층을 물리기상증착법으로 증착시키는 단계; 및상기 촉매층이 증착된 기판 위에 상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브를 화학기상증착법으로 합성하는 단계를 포함하는, 방법
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제6항에 있어서,상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브의 직경은, 1나노미터(nm)에서 500나노미터(nm) 사이의 크기를 갖는, 방법
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제6항에 있어서,상기 수직 정렬된 탄소나노튜브의 길이는, 최대 1000 마이크로미터(μm)인, 방법
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제5항에 있어서,상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브의 일측은, 플라즈마 에칭 공정을 이용하여 돌출시키는 방법
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제9항에 있어서,상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브의 일측의 돌출 길이는, 상기 플라즈마 에칭 공정의 조건에 따라 조절되는, 방법
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제10항에 있어서,상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브의 일측의 돌출 길이는, 최대 500 나노미터(nm)인, 방법
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