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광을 입사받아 광전류를 발생시키는 광전기화학 전지에 있어서,기판;상기 기판 상에 성장하며, n형 도핑된 반도체 층으로 구현되는 제1 레이어;상기 제1 레이어 상에 성장하며, 도핑되지 않은 반도체층으로 구현되는 제2 레이어; 및상기 제2 레이어 상에 성장하며, p형 도핑된 반도체 층으로 구현되는 제3 레이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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제1항에 있어서,상기 반도체층은,AlxInyGa1-x-yN, BiVO4, GaInP2(Pt)/TJ/GaAs 및 a-Si/TiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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제1항에 있어서,상기 제2 레이어는,외부로부터 광을 입사받을 경우, 전자/정공 쌍을 생성하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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제3항에 있어서,상기 제2 레이어는,밴드 벤딩(Band Bending)을 형성하여, 생성된 전자/정공 쌍을 분리하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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5
수소를 발생시키는 수소 발생장치에 있어서,제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 광전기화학 전지;상기 광전기화학 전지로부터 생성되어 분리된 전자를 유입받는 상대전극; 및상기 광전기화학 전지가 배치될 수 있도록 하는 공간을 제공하며, 상기 공간 내에 전해질 용액을 포함하는 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 발생장치
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6
제5항에 있어서,상기 전해질 용액은,수소 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 발생장치
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제5항에 있어서,상기 상대전극은,상기 광전기화학 전지로부터 생성되어 분리된 전자를 유입받아 수소 이온을 환원시키는 것을 특징으로 하는 수소 발생장치
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8
광을 입사받아 광전류를 발생시키는 광전기화학 전지에 있어서,기판;상기 기판 상에 성장하며, p형 도핑된 반도체 층으로 구현되는 제1 레이어;상기 제1 레이어 상에 성장하며, 도핑되지 않은 반도체층으로 구현되는 제2 레이어; 및상기 제2 레이어 상에 성장하며, n형 도핑된 반도체 층으로 구현되는 제3 레이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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9
제8항에 있어서,상기 반도체층은,AlxInyGa1-x-yN, BiVO4, GaInP2(Pt)/TJ/GaAs 및 a-Si/TiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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10
제8에 있어서,상기 제2 레이어는,외부로부터 광을 입사받을 경우, 전자/정공 쌍을 생성하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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11
제10항에 있어서,상기 제2 레이어는,밴드 벤딩(Band Bending)을 형성하여, 생성된 전자/정공 쌍을 분리하는 것을 특징으로 하는 광전기화학 전지
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12
수소를 발생시키는 수소 발생장치에 있어서,제8항 내지 제11항 중 어느 한 항의 광전기화학 전지;상기 광전기화학 전지로부터 생성되어 분리된 정공을 유입받는 상대전극; 및상기 광전기화학 전지가 배치될 수 있도록 하는 공간을 제공하며, 상기 공간 내에 전해질 용액을 포함하는 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 발생장치
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13
제12항에 있어서,상기 전해질 용액은,수소 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 발생장치
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제12항에 있어서,상기 상대전극은,상기 광전기화학 전지로부터 생성되어 분리된 정공을 유입받아 수산화 이온을 산화시키는 것을 특징으로 하는 수소 발생장치
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