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III족 원소의 할로젠화물을 포함하는 III족 전구체 및 V족 원소의 할로젠화물을 포함하는 V족 전구체에 할로젠화 금속의 배위 복합체를 혼합하는 단계; 및상기 혼합물에 환원제를 첨가한 후 공환원(co-reduction) 반응시켜 양자점을 합성하는 단계를 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 III족 원소가 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 알루미늄(Al)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 V족 원소가 비소(As), 안티모니(Sb), 인(P) 및 비스무스(Bi)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 III족 전구체 및 V족 전구체가, 각각 독립적으로, 포스핀(phosphine)계 화합물 및 아민(amine)계 화합물 중 1종 이상의 리간드를 더 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 할로젠화 금속의 배위 복합체가 II족 원소의 할로젠화물 및 리간드를 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 II족 원소의 할로젠화물이 염화아연(ZnCl2), 요오드화아연(ZnI2), 플루오린화아연(ZnF2) 및 브롬화아연(ZnBr2)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 할로젠화 아연을 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 할로젠화 금속의 배위 복합체의 리간드가 포스핀(phosphine)계 화합물 및 아민(amine)계 화합물 중 1종 이상을 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 할로젠화 금속의 배위 복합체의 리간드가 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine, TOP), 트리옥틸포스핀옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO) 및 다이페닐포스핀(diphenylphosphine, DPP)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 혼합 단계에서, 상기 III족 원소 1몰을 기준으로, 상기 V족 원소의 몰수가 0
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제 1 항에 있어서,상기 혼합 단계에서, 상기 III족 원소 1몰을 기준으로, 상기 배위 복합체의 금속 원소의 몰수가 0
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제 1 항에 있어서,상기 환원제가 리튬 트리에틸보로하이드라이드(lithium triethylborohydride, superhydride), 디이소부틸알루미늄하이드라이드(diisobutylaluminium hydride, DIBAL-H), 리튬알루미늄하이드라이드(lithium aluminium hydride, LiAlH4), 리튬보로 하이드라이드(lithium borohydride, LiBH4), 소듐보로하이드라이드(sodium borohydride, NaBH4), 디메틸에틸아민수소화알루미늄복합체(alane N,N-dimethylethylamine complex, DMEA-AlH3) 및 트리디메틸아미노포스핀(tris(dimethylamino)phosphine)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 공환원 반응이 200 내지 400℃의 고온에서 수행되는, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 III-V족 양자점의 평균 입경이 1 내지 50nm인, III-V족 양자점의 제조방법
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제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 의해 제조되고, 표면에 금속 이온을 포함하는 III-V족 양자점
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제 14 항의 III-V족 양자점을 이용하여 형성된 활성층을 포함하는 소자
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