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복수개의 화소들을 포함하며 서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판;상기 각각의 화소들에서 상기 기판 내에 배치되는 광전 변환부;상기 각각의 화소들에서 상기 기판의 상기 제1 면 상에 배치되는 전송 게이트;상기 기판과 전송 게이트를 덮는 제1 층간절연막;상기 제1 층간절연막 상의 제1 수소 차단막;상기 제1 수소 차단막 상에 배치되는 제1 활성 패턴, 상기 제1 활성 패턴은 질소가 도핑된 금속 산화물을 포함하고;상기 제1 활성 패턴 상의 제1 게이트;상기 제1 게이트와 상기 제1 활성 패턴을 덮는 제2 층간절연막; 및상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 제1 게이트의 양측의 상기 제1 활성 패턴과 접하는 상부 소스/드레인 콘택들을 포함하는 이미지 센서
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제1 항에 있어서,상기 각각의 화소들에서 상기 전송 게이트의 일측의 상기 기판 내에 배치되는 부유 확산 영역; 및상기 제1 층간절연막, 상기 제1 수소 차단막, 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 부유 확산 영역과 상기 상부 소스/드레인 콘택들 중 하나를 연결시키는 배선 구조체를 더 포함하고,상기 제1 게이트는 리셋 게이트인 이미지 센서
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제1 항에 있어서,상기 각각의 화소들에서 상기 기판의 상기 제1 면 상에 상기 전송 게이트와 이격되도록 배치되는 소스 팔로워 게이트; 상기 소스 팔로워 게이트의 일측에서 상기 기판 내에 배치되는 하부 소스/드레인 영역; 및상기 제1 층간절연막, 상기 제1 수소 차단막, 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 하부 소스/드레인 영역과 상기 상부 소스/드레인 콘택들 중 하나를 연결시키는 배선 구조체를 더 포함하고,상기 제1 게이트는 선택 게이트인 이미지 센서
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제1 항에 있어서,상기 제1 수소 차단막과 상기 제1 층간절연막은 각각 수소가 함유된 실리콘 산화물을 포함하되,상기 제1 수소 차단막의 수소 농도는 상기 제1 층간절연막의 수소 농도 보다 작은 이미지 센서
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제1 항에 있어서,상기 제1 수소 차단막은 실리콘 산화물, SiOC 및 Al2O3 중 적어도 하나의 단일막 또는 다중막 구조를 가지는 이미지 센서
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6
제1 항에 있어서,상기 상부 소스/드레인 콘택들의 하부면들과 접하며 상기 활성 패턴 내에 배치되는 상부 소스/드레인 영역들을 더 포함하되,상기 상부 소스/드레인 영역들은 수소, 불소 및 아르곤 중 적어도 하나를 포함하는 이미지 센서
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7
제1 항에 있어서,상기 활성 패턴의 상단에서의 상기 질소의 함량과 상기 활성 패턴의 하단에서의 상기 질소의 함량의 차이는 0
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8
제1 항에 있어서,상기 활성 패턴 내에서 상기 질소의 함량은 0
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제1 항에 있어서,상기 활성 패턴과 상기 제1 게이트 사이에 개재되며 상기 활성 패턴의 전면을 덮는 게이트 절연막을 더 포함하되,상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화물을 포함하는 이미지 센서
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10
제1 항에 있어서,상기 제2 층간절연막 상의 제2 수소 차단막을 더 포함하는 이미지 센서
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11
제1 항에 있어서,상기 제2 층간절연막의 일부는 상기 제1 게이트와 상기 활성 패턴 사이에 개재되어 게이트 절연막으로서 기능을 하는 이미지 센서
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12
제1 항에 있어서,상기 제1 게이트의 상부면과 측면은 상기 제2 층간절연막과 접하는 이미지 센서
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13
제12 항에 있어서,상기 전송 게이트 상에 배치되는 게이트 캐핑 패턴; 및상기 전송 게이트의 측면을 덮는 게이트 스페이서를 더 포함하는 이미지 센서
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14
제1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 In, Ga, Zn, Sn 중에 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 이미지 센서
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15
복수개의 화소들을 포함하며 서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판;상기 각각의 화소들에서 상기 기판 내에 배치되는 광전 변환부;상기 각각의 화소들에서 상기 기판의 상기 제1 면 상에 배치되는 전송 게이트와 소스 팔로워 게이트;상기 기판과 전송 게이트를 덮는 제1 층간절연막;상기 제1 층간절연막 상의 제1 수소 차단막;상기 제1 수소 차단막 상에 배치되며 서로 이격되는 제1 활성 패턴과 제2 활성 패턴, 상기 제1 활성 패턴과 상기 제2 활성 패턴은 각각 질소가 도핑된 금속 산화물을 포함하고;상기 제1 활성 패턴 상의 제1 게이트;상기 제2 활성 패턴 상의 제2 게이트;상기 제1 게이트, 상기 제2 게이트, 상기 제1 활성 패턴 및 상기 제2 활성 패턴을 덮는 제2 층간절연막; 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 제1 게이트의 양측의 상기 제1 활성 패턴과 접하는 제1 상부 소스/드레인 콘택들; 및상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 제2 게이트의 양측의 상기 제1 활성 패턴과 접하는 제2 상부 소스/드레인 콘택들을 포함하는 이미지 센서
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16
제15 항에 있어서,상기 각각의 화소들에서 상기 전송 게이트의 일측의 상기 기판 내에 배치되는 부유 확산 영역; 및상기 제1 층간절연막, 상기 제1 수소 차단막, 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 부유 확산 영역과 상기 제1 상부 소스/드레인 콘택들 중 하나를 연결시키는 제1 배선 구조체를 더 포함하고,상기 제1 게이트는 리셋 게이트인 이미지 센서
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17
제15 항에 있어서,상기 소스 팔로워 게이트의 일측에서 상기 기판 내에 배치되는 하부 소스/드레인 영역; 및상기 제1 층간절연막, 상기 제1 수소 차단막, 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 하부 소스/드레인 영역과 상기 제2 상부 소스/드레인 콘택들 중 하나를 연결시키는 제2 배선 구조체를 더 포함하고,상기 제2 게이트는 선택 게이트인 이미지 센서
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18
복수개의 화소들을 포함하며 서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판;상기 기판 내에 배치되며 상기 화소들을 분리시키는 화소 분리부;상기 각각의 화소들에서 상기 기판 내에 배치되는 광전 변환부;상기 각각의 화소들에서 상기 기판의 상기 제1 면 상에 배치되는 전송 게이트;상기 각각의 화소들에서 상기 전송 게이트의 일측의 상기 기판 내에 배치되는 부유 확산 영역;상기 기판과 전송 게이트를 덮는 제1 층간절연막;상기 제1 층간절연막 상의 제1 수소 차단막;상기 제1 수소 차단막 상에 배치되는 제1 활성 패턴, 상기 제1 활성 패턴은 질소가 도핑된 금속 산화물을 포함하고;상기 제1 활성 패턴 상의 제1 게이트;상기 제1 게이트와 상기 제1 활성 패턴을 덮는 제2 층간절연막; 및상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 제1 게이트의 양측의 상기 제1 활성 패턴과 접하는 상부 소스/드레인 콘택들을 포함하고,상기 활성 패턴의 상단에서의 상기 질소의 함량과 상기 활성 패턴의 하단에서의 상기 질소의 함량의 차이는 0
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제18 항에 있어서,상기 제1 층간절연막, 상기 제1 수소 차단막, 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 부유 확산 영역과 상기 상부 소스/드레인 콘택들 중 하나를 연결시키는 배선 구조체를 더 포함하고,상기 제1 게이트는 리셋 게이트인 이미지 센서
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20
제18 항에 있어서,상기 각각의 화소들에서 상기 기판의 상기 제1 면 상에 상기 전송 게이트와 이격되도록 배치되는 소스 팔로워 게이트; 상기 소스 팔로워 게이트의 일측에서 상기 기판 내에 배치되는 하부 소스/드레인 영역; 및상기 제1 층간절연막, 상기 제1 수소 차단막, 상기 제2 층간절연막을 관통하여 상기 하부 소스/드레인 영역과 상기 상부 소스/드레인 콘택들 중 하나를 연결시키는 배선 구조체를 더 포함하고,상기 제1 게이트는 선택 게이트인 이미지 센서
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