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AlGaN계 화합물을 포함하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되는 질화갈륨(GaN)층;상기 질화갈륨층 상에 형성되며, AlGaN계 화합물을 포함하는 배리어층;상기 배리어층 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트층;을 포함하고, 상기 게이트층은, p형 GaN계 화합물을 포함하는 도핑층 및 상기 도핑층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하며,상기 도핑층과 게이트 전극은 쇼트키(schottky) 접합되고,상기 도핑층은, 2 이상의 도핑층을 포함하고, 상기 게이트 전극에서 상기 배리어층 방향으로 억셉터 도핑 농도가 증가하도록 농도구배가 형성된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 두께가 1~10㎛ 이고,상기 질화갈륨층은 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 억셉터로 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 카트뮴(Cd) 및 베릴륨(Be) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 게이트층 사이에 형성되는 제1 보호층; 및상기 게이트층 및 드레인 전극 사이에 형성되는 제2 보호층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 배리어층 상에 형성되며, 억셉터 도핑 농도가 8
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제1항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 배리어층 상에 형성되며, 억셉터 도핑 농도가 9
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제5항에 있어서, 상기 제1 도핑층 및 제2 도핑층은 1:0
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제6항에 있어서, 상기 제1 도핑층, 제2 도핑층 및 제3 도핑층은 1:0
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AlGaN계 화합물을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 질화갈륨(GaN)층을 형성하는 단계;상기 질화갈륨층 상에 AlGaN계 화합물을 포함하는 배리어층을 형성하는 단계;상기 배리어층 상에 p형 GaN계 화합물을 포함하는 도핑층을 형성하는 단계; 및 상기 도핑층의 상부와 양 측면을 접합하여 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 도핑층은, 2 이상의 도핑층을 포함하고, 상기 게이트 전극에서 상기 배리어층 방향으로 억셉터 도핑 농도가 증가하도록 농도구배가 형성된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑층의 상부와 양 측면을 접합하여 전극을 형성하는 단계는, 상기 도핑층의 상부에 게이트 전극을 쇼트키(schottky) 접합하여 형성하고, 상기 도핑층의 일 측면에 소스 전극을 형성하고, 그리고 상기 도핑층의 타 측면에 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 배리어층 상에 형성되며, 억셉터 도핑 농도가 8
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제9항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 배리어층 상에 형성되며, 억셉터 도핑 농도가 9
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제9항에 있어서, 상기 제1 도핑층 및 제2 도핑층은 1:0
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제9항에 있어서, 상기 제1 도핑층, 제2 도핑층 및 제3 도핑층은 1:0
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AlGaN계 화합물을 포함하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되는 질화갈륨(GaN)층;상기 질화갈륨층 상에 형성되며, AlGaN계 화합물을 포함하는 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 형성되고 게이트 전극에 접하는 도핑층;을 포함하며, 상기 도핑층은 2 이상의 층이 적층된 구조를 가지며, 상기 게이트 전극에서 상기 배리어층 방향으로 억셉터 도핑 농도가 증가하도록 농도구배가 형성된 것인, 이종접합 전계효과 트랜지스터
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제15항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 배리어층 상에 형성되며, 억셉터 도핑 농도가 8
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제15항에 있어서, 상기 도핑층은 상기 배리어층 상에 형성되며, 억셉터 도핑 농도가 9
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제15항에 있어서, 상기 이종접합 전계효과 트랜지스터는 상시불통형 모드에서 동작하는 이종접합 전계효과 트랜지스터
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