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중성자를 차폐하는 재질로 이루어지고, 내부에 길이 방향을 따라 실린더 형상의 반도체 잉곳이 배치되는 배치 공간을 구비하는 몸체와, 상기 배치 공간과 외부가 연통되도록 몸체의 일측에 길이 방향을 따라 형성된 슬릿을 구비하는 하우징 및상기 반도체 잉곳을 보유한 상태에서 상기 배치 공간 내로 진입하여 배치되는 홀더를 포함하고,상기 슬릿은 외부에서 상기 반도체 잉곳의 중심축을 지나는 경로로 조사되는 중성자를 통과시키고, 상기 반도체 잉곳의 중심축을 지나지 않는 경로로 상기 반도체 잉곳을 향해 조사되는 중성자를 적어도 일부 차단하도록 형성되는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 1 항에 있어서,상기 슬릿은 상기 중심축을 기준으로 90도 미만의 범위에서 상기 반도체 잉곳의 외주면에 상기 중성자가 조사되도록 형성되는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 1 항에 있어서,상기 중성자를 차폐하는 재질은 스테인리스 스틸(Stainless Steel) 및 보론 함유 스테인리스 스틸(Borated Stainless Steel) 중 어느 하나 이상을 포함하는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 1 항에 있어서,상기 슬릿은 이격되어 복수개 구비되는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 1 항에 있어서,상기 홀더는 상기 반도체 잉곳을 수용하는 실린더 부재로 이루어지는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 잉곳이 중심축을 기준으로 회전하도록 상기 홀더를 회전시키는 회전 구동부를 더 포함하는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 1 항에 있어서,중성자속 감속재를 내부에 구비하고, 상기 슬릿 내에 배치되는 스크린 부재를 더 포함하는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 7 항에 있어서,상기 스크린 부재는 길이 방향 중심 부분보다 길이 방향 양 단부에서 중성자의 통과가 쉽게 이루어지는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 8 항에 있어서,상기 스크린 부재는 길이 방향 중심에 배치된 중성자속 감속재의 두께가 길이 방향 양 단부에 배치된 중성자속 감속재의 두께보다 두껍게 형성되는 중성자 핵변환 도핑 장치
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제 9 항에 있어서,상기 스크린 부재는 길이 방향 중심 부분에서 길이 방향 양 단부 측으로 중성자속 감속재의 두께가 점진적으로 감소하는 부분을 포함하는 중성자 핵변환 도핑 장치
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실린더 형상의 반도체 잉곳을, 외부에서 상기 반도체 잉곳의 중심축을 지나는 경로로 조사되는 중성자를 통과시키되 상기 반도체 잉곳의 중심축을 지나지 않는 경로로 상기 반도체 잉곳을 향해 조사되는 중성자를 적어도 일부 차단하도록 형성되는 배치 공간 내에 배치시키는 단계 및상기 배치 공간의 외부에서 상기 배치 공간 내에 배치된 반도체 잉곳을 향해 중성자를 조사시키는 단계를 포함하는 중성자 핵변환 도핑 방법
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제 11 항에 있어서,상기 중성자를 조사하는 단계에서 상기 반도체 잉곳은 중심축을 기준으로 회전하는 중성자 핵변환 도핑 방법
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