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ZnO, SnO2 및 NiCr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 결정립을 포함하는 제1 층;상기 제1 층에 배치되고, ZnO, SnO2 및 NiCr로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 결정립을 포함하되 상기 제1 층의 물질과 다른 물질을 포함하는 제2 층을 포함하는 NO2 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 층은 SnO2를 포함하고,상기 제2 층은 ZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 층은 NiCr를 포함하고,상기 제2 층은 SnO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 NiCr은 Ni4Cr1인 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서
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전극을 포함하는 기판을 준비하는 단계;ZnO, SnO2 및 NiCr로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 제1 스퍼터링 타겟 및 제2 스퍼터링 타겟을 준비하는 단계;스퍼터링으로 증착하는 단계; 및열처리하는 단계를 포함하는 NO2 가스 센서의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계에서는,실리콘 기판 상에 전극 물질을 형성하는 단계를 포함하는 NO2 가스 센서의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 증착하는 단계에서,상기 제1 스퍼터링 타겟이 SnO2를 포함하고,상기 제2 스퍼터링 타겟이 ZnO를 포함하고,상기 제1 스퍼터링 타겟의 RF 스퍼터링 파워는 40 W 내지 60 W이고,상기 제2 스퍼터링 타겟의 RF 스퍼터링 파워는 70 W 내지 90 W인 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서의 제조 방법
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8
제5항에 있어서,상기 증착하는 단계에서,상기 제1 스퍼터링 타겟이 NiCr를 포함하고,상기 제2 스퍼터링 타겟이 SnO2를 포함하고,상기 제1 스퍼터링 타겟의 DC 스퍼터링 파워는 15 W 내지 35 W이고,상기 제2 스퍼터링 타겟의 RF 스퍼터링 파워는 40 W 내지 60 W인 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 증착하는 단계에서,기저압력(base pressure)은 5x10-6mbar 내지 6x10-6mbar이고,증착 압력(working pressure)은 8x10-3mbar 내지 10x10-3mbar인 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서의 제조 방법
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10
제5항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,공기 분위기 및 400 ℃내지 700 ℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 NO2 가스 센서의 제조 방법
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