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비휘발성 플립플롭(110)에 있어서,기록(write) 대상이 되는 데이터의 종류에 따라, 스위칭 제어를 위한 제1 제어 전압과 제2 제어 전압을 출력하는 제어부(111);게이트에 제1 인버터(In1)의 출력단이 연결됨에 따라, 상기 제1 제어 전압이 상기 제1 인버터(In1)를 통과하여 출력되는 제1 출력 전압을, 게이트를 통해 입력으로 인가받는 제1 PMOS(Pw1);게이트에 제2 인버터(In2)의 출력단이 연결됨에 따라, 상기 제2 제어 전압이 상기 제2 인버터(In2)를 통과하여 출력되는 제2 출력 전압을, 게이트를 통해 입력으로 인가받는 제1 NMOS(Nw1) - 상기 제1 NMOS(Nw1)의 드레인 노드는 상기 제1 PMOS(Pw1)의 드레인 노드에 연결되고, 상기 제1 NMOS(Nw1)의 소스 노드는 그라운드에 연결됨 - ;상기 제2 제어 전압을 게이트를 통해 입력으로 인가받는 제2 PMOS(Pw2);상기 제1 제어 전압을 게이트를 통해 입력으로 인가받는 제2 NMOS(Nw2) - 상기 제2 NMOS(Nw2)의 드레인 노드는 상기 제2 PMOS(Pw2)의 드레인 노드에 연결되고, 상기 제2 NMOS(Nw2)의 소스 노드는 그라운드에 연결됨 - ;상기 제1 PMOS(Pw1)의 드레인 노드와 상기 제1 NMOS(Nw1)의 드레인 노드가 서로 연결되어 있는 제1 공통 노드(114)에, 상단 전극(top electrode)이 연결된 제1 MTJ(M1);상기 제2 PMOS(Pw2)의 드레인 노드와 상기 제2 NMOS(Nw2)의 드레인 노드가 서로 연결되어 있는 제2 공통 노드(115)에, 상단 전극이 연결된 제2 MTJ(M2) - 상기 제2 MTJ(M2)의 하단 전극(bottom electrode)은 상기 제1 MTJ(M1)의 하단 전극에 연결됨 - ;상기 제1 MTJ(M1)의 하단 전극과 상기 제2 MTJ(M2)의 하단 전극이 서로 연결되어 있는 제3 공통 노드(116)에 연결되어, 상기 제3 공통 노드(116)에서의 노드 전압의 크기를 센싱함으로써, 상기 제1 MTJ(M1)와 상기 제2 MTJ(M2)를 통해서 기록되어 있는 데이터를 리드(read)하는 센싱부(113); 및상기 제1 PMOS(Pw1)와 상기 제2 PMOS(Pw2)의 소스 노드에 연결되어, 상기 제1 PMOS(Pw1)와 상기 제2 PMOS(Pw2)에 구동 전압을 공급하는 전원부(VDD)를 포함하고,상기 제1 PMOS(Pw1)는바디(body) 노드와 소스 노드가 제1 스위치(SE1)를 매개로 하여 서로 연결되고, 바디 노드와 상기 제2 공통 노드(115)가 제2 스위치(SE2)를 매개로 하여 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
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제1항에 있어서,상기 비휘발성 플립플롭(110)에 데이터를 기록할 것을 지시하는 데이터 기록 이벤트가 발생하는 경우, 상기 제1 스위치(SE1)를 온(ON)시킴과 동시에 상기 제2 스위치(SE2)를 오프(OFF)시키고, 상기 비휘발성 플립플롭(110)에서 데이터를 리드할 것을 지시하는 데이터 리드 이벤트가 발생하는 경우, 상기 제1 스위치(SE1)를 오프시킴과 동시에 상기 제2 스위치(SE2)를 온시키는 스위치 제어부(112)를 더 포함하는 비휘발성 플립플롭
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제2항에 있어서,상기 제어부(111)는상기 데이터 기록 이벤트가 발생하는 경우, 기록 대상이 되는 데이터의 종류를 확인하는 확인부(117);기록 대상이 되는 데이터가 '1'로 확인되는 경우, 사전 설정된 제1 크기의 상기 제1 제어 전압과 사전 설정된 제2 크기의 상기 제2 제어 전압을 출력하여, 상기 제1 PMOS(Pw1)와 상기 제2 NMOS(Nw2)를 온 상태로 전환시킴과 동시에, 상기 제2 PMOS(Pw2)와 상기 제1 NMOS(Nw1)를 오프 상태로 전환시킴으로써, 상기 제1 MTJ(M1)의 저항이 상기 제2 MTJ(M2)의 저항보다 작은 값이 되도록 제어하는 제1 제어부(118); 및기록 대상이 되는 데이터가 '0'으로 확인되는 경우, '0V'의 크기를 갖는 상기 제1 제어 전압과 상기 제2 제어 전압을 출력하여, 상기 제2 PMOS(Pw2)와 상기 제1 NMOS(Nw1)를 온 상태로 전환시킴과 동시에, 상기 제1 PMOS(Pw1)와 상기 제2 NMOS(Nw2)를 오프 상태로 전환시킴으로써, 상기 제1 MTJ(M1)의 저항이 상기 제2 MTJ(M2)의 저항보다 큰 값이 되도록 제어하는 제2 제어부(119)를 포함하는 비휘발성 플립플롭
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제3항에 있어서,상기 제어부(111)는상기 데이터 리드 이벤트가 발생하는 경우, 상기 제1 크기의 상기 제1 제어 전압과 상기 제2 크기의 상기 제2 제어 전압을 출력하여, 상기 제1 PMOS(Pw1)와 상기 제2 NMOS(Nw2)를 온 상태로 전환시킴과 동시에, 상기 제2 PMOS(Pw2)와 상기 제1 NMOS(Nw1)를 오프 상태로 전환시키는 리드 제어부(120)를 더 포함하고,상기 센싱부(113)는상기 제1 PMOS(Pw1)와 상기 제2 NMOS(Nw2)가 온 상태로 전환되고, 상기 제2 PMOS(Pw2)와 상기 제1 NMOS(Nw1)가 오프 상태로 전환된 상태에서의 상기 제3 공통 노드(116)에 대한 상기 노드 전압의 크기를 센싱하여, 상기 노드 전압의 크기가 사전 설정된 제1 크기 범위와 제2 크기 범위 중 어느 크기 범위에 속하는지 확인함으로써, 상기 제1 MTJ(M1)와 상기 제2 MTJ(M2)를 통해서 기록되어 있는 데이터를 리드하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
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제4항에 있어서,상기 제1 크기 범위를 구성하는 상한 값은 상기 제2 크기 범위를 구성하는 하한 값보다 작은 값으로 사전 설정되어 있고,상기 센싱부(113)는상기 노드 전압의 크기가 상기 제1 크기 범위에 속하는 것으로 확인되면, 상기 제1 MTJ(M1)와 상기 제2 MTJ(M2)를 통해서 기록되어 있는 데이터를 '0'으로 리드하고, 상기 노드 전압의 크기가 상기 제2 크기 범위에 속하는 것으로 확인되면, 상기 제1 MTJ(M1)와 상기 제2 MTJ(M2)를 통해서 기록되어 있는 데이터를 '1'로 리드하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플립플롭
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