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단일 가닥 DNA(Single Strand DNA) 센서로, 상기 센서는:기판;기판에 형성된 제1 전극 및 제2 전극 및 제1 전극 및 제2 전극과 연결되고, 타겟인 상기 단일 가닥 DNA가 제공되는 그래핀 패턴(graphene pattern) 및 상기 그래핀 패턴에 RF(radio frequency) 주파수 신호를 제공하고, 상기 RF 주파수의 신호에 대한 전기적 특성 변화를 검출하는 구동 및 검출부를 포함하는 센서
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은,GSG 프로브를 통하여 상기 구동 및 검출부와 전기적으로 연결되고, 상기 GSG 프로브는, 상기 제1 전극 및 제2 전극을 통하여 상기 RF 신호를 제공하고, 상기 기판에 더 형성된 기준 전극을 통하여 상기 센서에 기준 전압을 제공하는 센서
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제1항에 있어서, 상기 구동 및 검출부는, 상기 타겟에 제공된 상기 RF 신호로부터 반사 계수(refelction coefficient) 및 투과 계수(transmission coefficient) 중 어느 하나 이상을 검출하여 상기 타겟을 검출하는 센서
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제1항에 있어서, 상기 기판(sub)은 산화막이 형성된 실리콘 기판이고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 구리, 크롬 및 금 중 어느 하나를 포함하는 센서
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(a) 기판에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계 및 (b) 상기 제1 전극 및 제2 전극에 전기적으로 연결되도록 그래핀 패턴을 형성하는 단계 및 (c) 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 GSG 프로브를 연결하는 단계를 포함하는 센서 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 (a)단계는, 상기 기판 상에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 형태에 상응하는 전극 마스크를 형성하는 단계, 상기 기판 상에 상기 전극 마스크를 두고 금속층을 증착하는 단계 및 상기 전극 마스크를 리프트 오프(lift-off)하여 상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하여 수행하는 센서 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 (b) 단계는,희생 기판 상에 CVD(Chemical vapor deposition) 그래핀을 성장시키는 단계와, 성장한 상기 CVD 그래핀을 캐리어로 덮고 상기 희생 기판을 제거하는 단계 및 상기 캐리어를 제거하고, 상기 CVD 그래핀을 상기 기판에 배치하는 단계로 수행되는 센서 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 희생 기판은 구리 박막인 센서 제조 방법
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