맞춤기술찾기

이전대상기술

유기 금속 화합물 제조방법 및 이의 방법으로 얻어진 유기 금속 화합물을 이용한 박막

  • 기술번호 : KST2022021601
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 헥사카보닐(metal hexacarbonyl) 화합물과 헥사하이드로-1,3,5-트리아진(hexahydro-1,3,5-triazine) 화합물을 반응시키는 단계를 포함하는 높은 수율의 유기 금속 화합물의 제조방법 및 제조된 유기 금속 화합물을 증착하여 제조한 우수한 특성의 박막에 관한 것이다.
Int. CL C07F 11/00 (2006.01.01) C23C 16/18 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC C07F 11/00(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/45553(2013.01)
출원번호/일자 1020210052409 (2021.04.22)
출원인 주식회사 한솔케미칼, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0145619 (2022.10.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.22)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 한솔케미칼 대한민국 서울특별시 강남구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서진형 전라북도 완주군
2 박미라 전라북도 완주군
3 석장현 세종특별자치
4 박정우 서울특별시 송파구
5 김형준 서울특별시 영등포구
6 남태욱 서울특별시 송파구
7 이유진 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (유)한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2021-0472245-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235822-97
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 헥사카보닐(metal hexacarbonyl) 화합물과 화학식 1의 화합물을 반응시켜서 화학식 2의 화합물을 합성하는 제1 단계를 포함하는, 유기 금속 화합물의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 2의 화합물을 화학식 3의 화합물과 반응시켜서 화학식 4의 화합물을 합성하는 제2단계를 포함하는,유기 금속 화합물의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 화학식 4의 화합물을 화학식 5의 화합물과 반응시켜서 화학식 6의 화합물을 합성하는 제3단계를 포함하는,유기 금속 화합물의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 유기 금속 화합물은 화학식 7 또는 화학식 8의 화합물인,유기 금속 화합물의 제조방법
5 5
기판 상에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해서 제조된 유기 금속 화합물을 포함하는 기상 증착 전구체를 흡착시키고, 비활성 기체로 미반응된 상기 기상 증착 전구체을 퍼징하는 제1단계; 및반응가스를 주입하여 흡착된 하나 이상의 상기 기상 증착 전구체와 반응시키고, 미반응된 상기 반응가스를 퍼징하는 제2단계;를 포함하고, 상기 반응가스는 플라즈마에 의해서 활성화되며,상기 제1단계에서 상기 기상 증착 전구체의 주입 시간은 4초 이상이고,상기 제2단계에서 상기 반응가스의 주입 시간은 8초 이상인,박막의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 반응가스는 산화제, 환원제 및 질화제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인,박막의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,증착 온도가 350℃ 이하이고,증착률은 0
8 8
밀도가 14 g/cm3 이상인,텅스텐 금속 박막
9 9
제8항에 있어서,α상(phase)과 β상(phase)을 포함하는,텅스텐 금속 박막
10 10
제8항에 있어서,비저항값이 300 μΩ·cm 이하인,텅스텐 금속 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 ㈜한솔케미칼 소재부품기술개발사업 High-k/metal gate 공정용 박막내 carbon/halogen-free precursor 및 공정부품 개발