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망상 고분자, 무기나노입자 및 전해질을 포함하며,상기 망상 고분자는 양이온기를 함유하는 구조단위를 포함하는 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제1항에 있어서,상기 양이온기는 4급 암모늄기를 포함하는 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제1항에 있어서,상기 무기나노입자는 양이온성 무기나노입자인 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제1항에 있어서,상기 망상 고분자는 양이온성 단량체와 다관능성 단량체가 포함된 광경화성 조성물로부터 중합된 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제4항에 있어서,상기 광경화성 조성물 전체 몰 함량 대비 상기 양이온성 단량체의 몰 함량의 비율은 10 내지 70 몰%를 포함하는, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제4항에 있어서,상기 양이온성 단량체는 2 이상의 중합성 관능기를 포함하는 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제4항에 있어서,상기 다관능성 단량체는 폴리올 에스테르계 아크릴 화합물인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제4항에 있어서, 상기 단이온 전도성 고분자 고체전해질은 상기 광경화성 조성물 100 중량부에 대해서 무기나노입자 10 내지 300 중량부, 전해질 50 내지 300 중량부를 포함하는 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제3항에 있어서,상기 양이온성 무기나노입자는 금속 산화물 층으로 도포된 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제9항에 있어서,상기 금속 산화물 층은 이산화티타늄 및 이산화규소를 포함하는 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질
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제1항에 있어서,상기 고체전해질의 이온 전도도는 1
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제 1항 내지 제 11항의 어느 한 항에 따른 단이온 전도성 고분자 고체전해질을 포함하는 것인, 리튬 금속 전지
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제12항에 있어서,상기 리튬 금속 전지는 4
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다관능성 단량체, 양이온성 단량체 및 전해질을 포함하는 경화성 조성물에 무기나노입자를 혼합하는 단계; 및상기 무기나노입자가 분산된 경화성 조성물을 경화하는 단계;를 포함하는, 단이온 전도성 고분자 고체전해질의 제조방법
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다관능성 단량체, 양이온성 단량체 및 전해질을 포함하는 제1경화성 조성물에 무기나노입자를 혼합하는 단계;상기 무기나노입자가 분산된 경화성 조성물을 리튬 금속층 상에 프린팅하여 경화성 조성물 층을 제조하는 단계;상기 제1경화성 조성물 층을 경화하여 단이온 전도성 고분자 고체전해질을 제조하는 단계;상기 단이온 전도성 고분자 고체전해질 상에 양극 활물질, 도전재 및 제2경화성 조성물을 포함하는 양극 슬러리를 프린팅하여 양극 층을 제조하는 단계; 및상기 양극 층을 경화하는 단계;를 포함하는, 전고체 리튬금속전지의 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 제2경화성 조성물은 다관능성 단량체, 양이온성 단량체 및 전해질을 포함하는, 단이온 전도성 고분자 고체전해질의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 경화는 광조사로 경화되는 것인, 단이온 전도성 고분자 고체전해질의 제조방법
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