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게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 및상기 절연층 상에 배치되고, 하기 화학식 1로 표현되는 페로브스카이트(perovskite) 화합물을 포함하는 활성층을 포함하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 X 및 상기 Y는 서로 독립적이고, I-, Cl-, Br- 및 SCN- 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제2 항에 있어서, 상기 X는 I-이고,상기 Y는 Cl-, Br- 및 SCN- 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 v는 0보다 크고 0
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제1 항에 있어서, 상기 C는 Pb2+, In3+ 및 Sb3+ 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 u는 0보다 크고 0
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7
제6 항에 있어서, 상기 u는 0
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제1 항에 있어서, 상기 A는 메틸암모늄 양이온(MA+)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 절연층은 산화하프늄(HfO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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10
용매, AX, 및 BY2 전구체를 혼합하여, 하기 화학식 1로 표현되는 페로브스카이트(perovskite) 화합물을 포함하는 활성 용액을 준비하는 단계;게이트 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 게이트 전극 상에, 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에, 상기 활성 용액을 이용하여 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 활성층은 스핀 코팅 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 스핀 코팅 공정은 30초 동안 3000 rpm으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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13
제10 항에 있어서, 상기 절연층은 원자층 증착 공정(atomic layer deposition)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 원자층 증착 공정을 수행한 후,상기 절연층에, 플라즈마 처리 또는 자외선 오존 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 및상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하고,상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되고, 하기 화학식 1로 표현되는 페로브스카이트(perovskite) 화합물을 포함하는 활성층을 포함하는 표시 장치
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제15 항에 있어서, 상기 X 및 상기 Y는 서로 독립적이고, I-, Cl-, Br- 및 SCN- 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제15 항에 있어서, 상기 v는 0보다 크고 0
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제15 항에 있어서, 상기 C는 Pb2+, In3+ 및 Sb3+ 으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제15 항에 있어서, 상기 u는 0보다 크고 0
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제15 항에 있어서, 상기 A는 메틸암모늄 양이온(MA+)인 것을 특징으로 하는 표시 장치
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