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1
특정 파장영역대역의 빛을 반사할 수 있는 반사부층;상기 반사부층의 하측에 제공되는 스페이서층; 및 상기 스페이서층의 하측에 제공되고, 기 설정된 온도 이상에서만 열을 방출하는 방출부층을 포함하는 온도 반응형 상전이 냉각소자
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제1 항에 있어서,상기 방출부층은,기 설정된 온도 미만에서는 비금속으로 제공되고, 기 설정된 온도 이상에서는 금속으로 상전이하는 산화바나듐이 제공되는 상전이층;상기 상전이층의 하측에 제공되는 비금속층; 및상기 비금속층의 하측에 제공되는 금속층을 포함하는온도 반응형 상전이 냉각소자
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3
제2 항에 있어서,상기 산화바나듐에는 몰리브덴, 텅스텐 및 오스트론튬 중 적어도 하나의 물질이 도핑되어 있는온도 반응형 상전이 냉각소자
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4
제1 항에 있어서,상기 반사부층은 자외선에서 근적외선 영역대역의 빛을 차단하고,상기 방출부층은 8um 내지 13um 파장영역의 빛을 선택적으로 방사하하도록 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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5
제1 항에 있어서,상기 기 설정된 온도 이상에서 상기 방출부층은, 금속으로 제공되는 상전이층- 비금속으로 제공되는 비금속층-금속으로 제공되는 금속층으로 적층된 구조를 나타내고,상기 기 설정된 온도 미만에서는 방출부층은, 비금속으로 제공되는 상전이층-비금속으로 제공되는 비금속층-금속으로 제공되는 금속층으로 적층된 구조를 나타내는온도 반응형 상전이 냉각소자
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6
제1 항에 있어서,상기 기 설정된 온도는 20°C 내지 30°C로 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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7
제2 항에 있어서,상기 비금속층은 실리콘으로 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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8
제2 항에 있어서,상기 금속층은 은으로 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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9
제2 항에 있어서,상기 상전이층의 두께는 8nm 내지 12nm으로 제공되고,상기 비금속층의 두께는 600nm 내지 800nm으로 제공되고,상기 금속층의 두께는 150nm 내지 250nm으로 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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10
제1 항에 있어서,상기 반사부층은 서로 다른 파장영역대역의 빛을 반사할 수 있는 복수 개의 반사부를 포함하는온도 반응형 상전이 냉각소자
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11
제10 항에 있어서,상기 반사부는,제1 파장의 빛을 반사할 수 있는 제1 반사부;상기 제1 반사부의 하측에 제공되고, 제2 파장의 빛을 반사할 수 있는 제2 반사부; 및상기 제2 반사부의 하측에 제공되고, 제3 파장의 빛을 반사할 수 있는 제3 반사부를 포함하는온도 반응형 상전이 냉각소자
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12
제11 항에 있어서,상기 제1 파장은 0
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13
제10 항에 있어서,각각의 상기 반사부는,실리콘층과 PMMA층이 교대로 적층되어 있는온도 반응형 상전이 냉각소자
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14
제11 항에 있어서,상기 제1 반사부는 서로 교대로 적층되어 있는 실리콘층과 PMMA층을 포함하고, 상기 실리콘층의 두께는 제1 파장/4n1로 제공되고,상기 PMMA층의 두께는 제1 파장/4n2로 제공되고,상기 n1은 실리콘의 굴절률, 상기 n2는 PMMA의 굴절률인온도 반응형 상전이 냉각소자
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15
제11 항에 있어서,상기 제2 반사부는 서로 교대로 적층되어 있는 실리콘층과 PMMA층을 포함하고, 상기 실리콘층의 두께는 제1 파장/4n1로 제공되고,상기 PMMA층의 두께는 제1 파장/4n2로 제공되고,상기 n1은 실리콘의 굴절률, 상기 n2는 PMMA의 굴절률인온도 반응형 상전이 냉각소자
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16
제11 항에 있어서,상기 제3 반사부는 서로 교대로 적층되어 있는 실리콘층과 PMMA층을 포함하고, 상기 실리콘층의 두께는 제1 파장/4n1로 제공되고,상기 PMMA층의 두께는 제1 파장/4n2로 제공되고,상기 n1은 실리콘의 굴절률, 상기 n2는 PMMA의 굴절률인온도 반응형 상전이 냉각소자
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제1 항에 있어서,상기 스페이서층은 PMMA로 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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18
제1 항에 있어서,상기 스페이서층의 두께는 200nm 내지 400nm 으로 제공되는온도 반응형 상전이 냉각소자
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제1 항에 있어서,특정 파장영역대역은 자외선(UV) 영역 내지 근적외선(NIR) 영역으로 제공되는 온도 반응형 상전이 냉각소자
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