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기판 상에 터널 절연막을 형성하고;상기 터널 절연막이 형성된 기판 상으로 아르곤 이온을 충돌시키면서, 증착 물질로 이루어진 타겟으로부터 스퍼터링된 타겟 입자를 상기 터널 절연막 상에 증착시키는 스퍼터링 공정을 수행함으로써, 상기 터널 절연막 상에 상기 아르곤 이온의 충돌에 의해 생성된 결함을 내부에 포함하는 전하 트랩막을 형성하고; 상기 전하 트랩막 상에 블록킹 유전막을 형성하고; 그리고, 상기 블록킹 유전막 상에 콘트롤 게이트막을 형성하는 것을 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 타겟은 실리콘 산 질화물 또는 실리콘 산 질화물을 포함하고, 상기 전하 트랩막은 상기 타겟과 동일한 물질을 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판 상으로 아르곤 이온을 충돌시키는 것은, 상기 기판에 바이어스를 인가함으로써 수행되는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 전하 트랩막을 형성하는 것은, 증착 챔버 내에 상기 터널 절연막이 형성된 기판을 로딩하고; 상기 증착 챔버 내에 아르곤 가스를 유입하고;상기 증착 챔버 내의 타겟에 제1 파워를 인가하여, 생성된 아르곤 이온을 가속시켜 상기 타겟에 충돌시켜 상기 타겟으로부터 스퍼터링된 타겟 입자를 생성시키고, 상기 기판에는 제2 파워를 인가하여 상기 아르곤 이온을 기판 상으로 충돌시키고; 그리고, 상기 기판 상으로 충돌하는 아르곤 이온에 의해 결함을 생성하면서, 상기 스퍼터링된 타겟 입자를 상기 터널 절연막 상에 증착시켜, 상기 터널 절연막 상에 상기 전하 트랩막을 증착하는 것을 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제2 파워는 상기 제1 파워보다 낮은 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제2 파워는 40W 내지 140W 범위인 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 전하 트랩막을 형성하는 것은, 증착 챔버 내에 상기 터널 절연막이 형성된 기판을 로딩하고; 상기 증착 챔버 내의 제1 이온건을 이용하여 아르곤 이온빔을 생성시키고, 상기 아르곤 이온빔을 상기 타겟에 충돌시켜 상기 타겟으로부터 스퍼터링된 타겟 입자를 생성시키고; 상기 증착 챔버 내의 제2 이온건을 이용하여 아르곤 이온빔을 생성시키고, 상기 아르곤 이온빔을 상기 기판 상으로 가속시키고; 그리고,상기 기판 상에 충돌하는 아르곤 이온에 의해 결함을 생성하면서, 상기 스퍼터링된 타겟 입자를 상기 터널 절연막 상에 증착시켜 상기 터널 절연막 상에 전하 트랩막을 형성하는 것을 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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기판 상에 터널 절연막을 형성하고;증착 챔버 내에 상기 터널 절연막이 형성된 기판을 로딩하고; 상기 증착 챔버 내에 아르곤 가스를 유입하고;상기 증착 챔버 내의 실리콘 질화물 또는 실리콘 산 질화물을 포함하는 타겟에 제1 파워를 인가하여 상기 타겟으로부터 스퍼터링된 타겟 입자를 생성시키고; 상기 기판에 제2 파워를 인가하여 상기 아르곤 이온을 기판 상으로 가속시키고; 그리고, 상기 기판 상에 충돌하는 아르곤 이온에 의해 결함을 생성하면서, 상기 스퍼터링된 타겟 입자를 상기 터널 절연막 상에 증착하여, 상기 터널 절연막 상에 실리콘 질화물 또는 실리콘 산 질화물을 포함하고 내부에 결함을 포함하는 전하 트랩막을 형성하고; 상기 전하 트랩막 상에 블록킹 유전막을 형성하고; 그리고, 상기 블록킹 유전막 상에 콘트롤 게이트막을 형성하는 것을 포함하는 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제2 파워는 상기 제1 파워보다 낮은 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제2 파워는 40W 내지 140W 범위인 플래시 메모리 소자의 제조 방법
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