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중간층 및 이를 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2022021688
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자의 중간층에 있어서, p-type 금속 할라이드 물질 및 상기 금속 할라이드 물질에 도핑된 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트는 금속 양이온으로 구성되는 중간층 및 이를 포함하는 전자 소자를 개시한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/506(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5088(2013.01) H01L 51/5096(2013.01) H01L 51/0003(2013.01)
출원번호/일자 1020220041951 (2022.04.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0141236 (2022.10.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210047235   |   2021.04.12
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용영 경상북도 포항시 남구
2 류기성 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2022-0360826-92
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번호 청구항
1 1
발광 소자의 중간층에 있어서,p-type 금속 할라이드 물질 및상기 금속 할라이드 물질에 도핑된 도펀트를 포함하고,상기 도펀트는 금속 양이온으로 구성되는 중간층
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속 할라이드 물질은 CuI 및 CuBr를 포함하는 중간층
3 3
제 2항에 있어서,상기 도펀트의 도핑 농도는 5% 내지 15%인 중간층
4 4
제 2항에 있어서,상기 금속 할라이드의 양이온의 이온반지름 대비 상기 도펀트의 양이온의 이온반지름은 0
5 5
제 1항에 있어서,상기 도펀트는 상기 금속 할라이드 물질의 정공 농도를 감소시키는 중간층
6 6
제 1항에 있어서,상기 도펀트는 Zn 2+, Ni 2+, Pb 2+, Bi 3+, Ga 3+, Sn 4+, Fe 2+, Co 2+, Ir 3+, Li+, Mg 2+, Mn 2+, Pd 2+, Pt 2+, Sn 3+, Sc 3+, Ti 3+, Tl 3+ 및 V 2+ 중 적어도 하나를 포함하는 중간층
7 7
제 1항에 있어서,상기 중간층은 정공주입층(hole injection layer; HIL), 정공수송층(hole transport layer; HTL), 전자차단층(electron blocking layer; EBL), 정공차단층(hole blocking layer; HBL), 전자수송층(electron transport layer; ETL) 및 전자주입층(electron injection layer; EIL) 중 적어도 하나인 중간층
8 8
제 1항에 있어서,상기 중간층은 용액을 이용한 스핀코팅을 통해 형성되며, 코팅 속도는 1500rpm 내지 2500rpm인 중간층
9 9
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 중간층을 포함하는 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 산학협력단 집단연구지원(R＆D) 저차원 페로브스카이트 광전소재 및 소자 연구실