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반도체성 2차원 물질 기반 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2022021689
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전이금속 디칼코게나이드 박막 고성능 트랜지스터를 제조하기 위한 용매 처리 방법에 관한 것이다. 소자의 성능 향상은 제작한 트랜지스터를 특정 용매에 담금으로써 실현할 수 있다. 이 방법은 특히 p타입 트랜지스터에 효과적이다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/24(2013.01)
출원번호/일자 1020220044856 (2022.04.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0141255 (2022.10.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210047077   |   2021.04.12
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용영 경상북도 포항시 남구
2 추도우 경상북도 포항시 남구
3 김현준 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0387246-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
게이트, 유전체, 채널 영역, 전극 및 채널 영역에 2 차원 반도체 잉크를 기판의 표면에 코팅하는 단계;상기 코팅된 2 차원 반도체 잉크의 용매를 증발시키는 단계; 및상기 기판을 후처리 용매에 침지하는 단계; 를 포함하는 반도체성 2차원 물질 기반 트랜지스터 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 기재된 전자 기기, 2 차원 반도체 재료는 정공전달 p-type 재료인 MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2 중 적어도 하나를 포함하는 반도체성 2차원 물질 기반 트랜지스터 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 후처리 용매는 할로겐족의 원소를 포함하는 반도체성 2차원 물질 기반 트랜지스터 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 후처리 용매는 클로로포름, 디클로로벤젠, 1,2-디클로로에탄 브로모포름 및 브로민 중 적어도 하나를 포함하는 반도체성 2차원 물질 기반 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 산학협력단 미래소재디스커버리지원(R＆D) 반데르발스 층상 소재 기반 단일 3차원 집적 트랜지스터 및 적외선 이미지 센서 개발