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n형 도펀트로 도핑된 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 하부에 배치되며, p형 도펀트로 도핑된 제2 반도체층;상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 발광층;상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 금속을 포함하는 제1 중간층; 및상기 제1 중간층 상에 배치된 제1 전극층을 포함하며, 상기 제1 반도체층, 상기 제1 중간층 및 상기 제1 전극층을 투과하는 광의 투과도는 70% 이상인 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 중간층은 인듐(In), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 코발트(Co), 구리(Cu), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 루비듐(Rb), 란타넘(La), 세륨(Ce), 나트륨(Na) 및 유로퓸(Eu) 중 선택된 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 중간층은 일면이 상기 제1 반도체층에 접촉하고, 상기 일면과 대향하는 타면이 상기 제1 중간층에 접촉하는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 중간층은 상기 제1 반도체층의 일함수와 상기 제1 전극층의 일함수 사이의 일함수를 가지는 발광 소자
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5
제1 항에 있어서, 상기 제1 중간층의 두께는 1 내지 30nm인 발광 소자
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6
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 금속 산화물을 포함하며, 상기 금속 산화물은 ITO(인듐주석 산화물), AlZO(알루미늄아연 산화물), IZO(인듐아연 산화물), ZnO(산화아연), InxOy(산화인듐), SnxOy(산화주석), AlOx(산화알루미늄) 및 GaxOy(산화갈륨) 중 선택된 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 발광 소자
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7
제6 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 상기 제1 중간층과 동일한 물질을 포함하는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 반도체층에 도핑된 상기 n형 도펀트는 상기 제1 중간층에 인접할수록 농도가 증가하는 농도 구배를 가지는 발광 소자
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9
제1 항에 있어서, 상기 제1 반도체층과 상기 제1 중간층 사이에 배치되는 제2 중간층을 더 포함하며, 상기 제2 중간층은 일면이 상기 제1 반도체층에 접촉하고, 상기 일면과 대향하는 타면이 상기 제1 중간층에 접촉하는 발광 소자
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10
제9 항에 있어서, 상기 제2 중간층은 금속 질화물을 포함하며, 상기 금속 질화물의 금속은 인듐(In), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 코발트(Co), 구리(Cu), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 루비듐(Rb), 란타넘(La), 세륨(Ce), 나트륨(Na) 및 유로퓸(Eu) 중 선택된 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 발광 소자
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11
제1 항에 있어서, 상기 발광 소자의 컨택 저항은 10-3 Ω㎠ 이하인 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제1 반도체층, 상기 제2 반도체층, 상기 발광층, 상기 제1 중간층 및 상기 제1 전극층을 둘러싸는 절연막을 더 포함하는 발광 소자
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제1 기판;상기 제1 기판 상에 배치되고 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 제1 절연층;상기 제1 절연층 상에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 배치된 복수의 발광 소자들; 및상기 발광 소자의 양 단부 중 일 단부와 접촉하는 제1 연결 전극, 및 상기 발광 소자의 양 단부 중 타 단부와 접촉하는 제2 연결 전극을 포함하고,상기 발광 소자는 n형 도펀트로 도핑된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 하부에 배치되며, p형 도펀트로 도핑된 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 발광층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 금속을 포함하는 제1 중간층, 및 상기 제1 중간층 상에 배치된 제1 전극층을 포함하며, 상기 제1 반도체층, 상기 제1 중간층 및 상기 제1 전극층을 투과하는 광의 투과도는 70% 이상이며,상기 제2 반도체층은 상기 제1 연결 전극과 접촉하고 상기 제1 전극층은 상기 제2 연결 전극과 접촉하는 표시 장치
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제13 항에 있어서, 상기 제1 중간층의 두께는 1 내지 30nm인 표시 장치
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제13 항에 있어서, 상기 제1 중간층은 일면이 상기 제1 반도체층에 접촉하고, 상기 일면과 대향하는 타면이 상기 제1 중간층에 접촉하는 표시 장치
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제13 항에 있어서, 상기 제1 중간층은 상기 제1 반도체층의 일함수와 상기 제1 전극층의 일함수 사이의 일함수를 가지는 표시 장치
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17
제13 항에 있어서, 상기 제1 반도체층에 도핑된 상기 n형 도펀트는 상기 제1 중간층에 인접할수록 농도가 증가하는 농도 구배를 가지는 표시 장치
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18
제13 항에 있어서, 상기 제1 반도체층과 상기 제1 중간층 사이에 배치되는 제2 중간층을 더 포함하며, 상기 제2 중간층은 일면이 상기 제1 반도체층에 접촉하고, 상기 일면과 대향하는 타면이 상기 제1 중간층에 접촉하는 표시 장치
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19
제18 항에 있어서, 상기 제2 중간층은 상기 제1 중간층에 포함된 금속의 질화물을 포함하는 표시 장치
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제13 항에 있어서, 상기 발광 소자의 컨택 저항은 10-3 Ω㎠ 이하인 표시 장치
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