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유기 반도체 물질을 포함하고, 패턴을 갖는 패턴화된 활성층; 및상기 패턴화된 활성층 상에 형성되고, 상기 활성층의 패턴과 동일한 패턴을 갖고 전이금속 산화물을 포함하는 패턴화된 정공 수송층;을 포함하고,유기 전자 소자에 사용하기 위한 패턴화된 유기 반도체 적층체
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제1항에 있어서,상기 전이금속 산화물이 몰리브덴 산화물(MoO3), 바나듐 산화물(V2O5), 텅스텐 산화물(WO3), 니켈 산화물(NiO), 구리 산화물(CuOx) 및 크롬 산화물(CrOx)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 패턴화된 유기 반도체 적층체
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체 물질이 유기 반도체 저분자 및 유기 반도체 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 유기 반도체 적층체
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제3항에 있어서,상기 유기 반도체 저분자가 Pentacene, 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl(CBP), 1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene(mCP), N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB), N,N,N′,N′-Tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine(MeOTPD), Zinc phthalocyanine 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 유기 반도체 적층체
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제3항에 있어서,상기 유기 반도체 고분자가 Poly(3-hexylthiophene)(P3HT), Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-bithiophene](F8T2), Poly([2,6′-4,8-di(5-ethylhexylthienyl)benzo[1,2-b;3,3-b]dithiophene]{3-fluoro-2[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})(PTB7-Th), Poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene](PBTTT-C14), Poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta [2,1-b;3,4-b′]dithiophene)-alt-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)](PCPDTBT), Poly[2,5-(2-octyldodecyl)-3,6-diketopyrrolopyrrole-alt-5,5-(2,5-di(thien-2-yl)thieno [3,2-b]thiophene)](DPP-DTT), poly[2,5-bis(7-decylnonadecyl)pyrrolo[3,4- c ]pyrrole-1,4(2 H ,5 H )-dione-( E )-1,2-di(2,2′-bithiophen-5-yl)ethene](PDPP-TVT), indacenodithiophene-co-benzothiadiazole (IDTBT) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 유기 반도체 적층체
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기판; 상기 기판 상에 형성된 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성되고, 유기 반도체 물질을 포함하고, 패턴을 갖는 패턴화된 활성층;상기 패턴화된 활성층 상에 형성되고, 상기 활성층의 패턴과 동일한 패턴을 갖는 패턴화된 정공 수송층; 및상기 패턴화된 정공 수송층 상에 형성된 전극;을 포함하는 유기 전자 소자
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제6항에 있어서,상기 기판이 실리콘, 니켈, 스테인레스스틸, 아연 코팅 탄소강, 순탄소강, 구리, 티타늄, 아연, 강철, 폴리에스터, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 불소도핑 틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제6항에 있어서,상기 전자 수송층이 ZnO, 아연 산화물(ZnO), 주석 산화물(SnO2), 티타늄 산화물(TiO2) 및 세륨 산화물(CeO2)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제6항에 있어서,상기 전극이 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 인듐, 알루미늄, 철, 로듐, 루테늄, 오스뮴, 코발트, 몰리브덴, 아연, 바나듐, 텅스텐, 티탄, 망간, 크롬 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제6항에 있어서,상기 유기 전자 소자가 광 다이오드, 유기 전계효과 트랜지스터, 유기 태양전지, 유기 발광 다이오드 및 유기 열전 소자로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제10항에 있어서,상기 유기 전자 소자가 광 다이오드이고,상기 광 다이오드가 역구조(inverted structure)인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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(a) 유기 반도체 물질을 포함하는 활성층 상에 전이금속 산화물을 포함하고, 패턴을 갖는 패턴화된 정공 수송층을 형성하여 활성층/패턴화된 정공 수송층을 제조하는 단계; (b) 상기 활성층/패턴화된 정공 수송층을 열처리(annealing)하는 단계; 및(c) 상기 열처리된 활성층/패턴화된 정공 수송층을 유기 용매로 세척하여 상기 패턴화된 정공 수송층이 코팅되지 않은 활성층 부분을 제거하여 상기 정공 수송층과 활성층이 동일한 패턴을 갖는 패턴화된 (활성층/정공 수송층)을 제조하는 단계;를포함하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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제12항에 있어서,상기 단계 (b)에서, 상기 열처리에 의하여 상기 정공 수송층의 전이금속 산화물의 일부가 상기 활성층과 패턴화된 정공 수송층 사이의 계면을 통과하여 상기 활성층 내부에 소정 깊이로 함침되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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제12항에 있어서,상기 열처리(annealing)가 상기 유기 반도체 물질의 유리전이온도(Tg)와 녹는점(Tm) 사이의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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제14항에 있어서,상기 열처리(annealing)가 상기 유기 반도체 물질의 유리전이온도(Tg)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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제12항에 있어서,단계(a)의 상기 정공 수송층의 패턴화가 진공 열증착, 화학기상증착, 플라즈마 여기 화상기상증착, 저압 화학기상증착, 물리기상증착, 스퍼터링, 원자층 증착, 전자빔 증착, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 프린팅, 에어로졸 젯 프린팅 및 스크린 프린팅으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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제12항에 있어서,상기 정공 수송층의 패턴이 새도우 마스크를 이용해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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제12항에 있어서,상기 유기 용매가 톨루엔, 자일렌, 클로로포름, 다이클로로메테인, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, n-헥세인 및 n-옥테인으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 적층체의 패턴 형성방법
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(1) 기판 상에 전자 수송층을 형성하여 기판/전자 수송층을 제조하는 단계;(2) 상기 기판/전자 수송층의 전자 수송층 상에 유기 반도체 물질을 포함하는 활성층을 형성하여 기판/전자 수송층/활성층을 제조하는 단계;(3) 상기 기판/전자 수송층/활성층의 활성층 상에 전이금속 산화물을 포함하고, 패턴을 갖는 패턴화된 정공 수송층을 형성하여 기판/전자 수송층/활성층/패턴화된 정공 수송층을 제조하는 단계;(4) 상기 기판/전자 수송층/활성층/패턴화된 정공 수송층을 열처리(annealing)하는 단계;(5) 상기 열처리된 기판/전자 수송층/활성층/패턴화된 정공 수송층을 유기 용매로 세척하여 상기 패턴화된 정공 수송층이 코팅되지 않은 상기 활성층 부분을 제거하여 상기 정공 수송층과 활성층이 동일한 패턴을 갖는 기판/전자 수송층/패턴화된 (활성층/정공 수송층)을 제조하는 단계; 및(6) 상기 패턴화된 (활성층/정공 수송층)의 정공 수송층 상에 전극을 형성하는 단계;를포함하는 유기 전자 소자의 제조방법
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제19항에 있어서,단계 (1)의 전자 수송층이 졸-겔 방법을 이용하여 상기 기판 상에 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자의 제조방법
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