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중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 사용하여 유사 다이아몬드 박막을 증착하는 방법으로서, (ⅰ) 임의의 소재로 된 기판 위에 규소와 플라즈마 가스를 이용하여 제1 버퍼층을 증착하는 단계; 및(ⅱ) 상기 제1 버퍼층 위에 탄소를 포함하는 가스를 전구체로 사용하여 유사 다이아몬드 박막을 증착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (ⅰ) 단계 이후, 상기 제1 버퍼층 위에 탄화규소를 증착하여 제2 버퍼층을 증착하는 단계를 더 추가적으로 수행하고, 상기 제2 버퍼층 위에 탄소를 포함하는 가스를 전구체로 사용하여 유사 다이아몬드 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 버퍼층은 실란(SiH4)과 아르곤(Ar) 가스를 사용하여 일정한 두께의 비정질 실리콘 박막을 증착하여 형성하고, 상기 유사 다이아몬드 박막은 탄화수소(CH4 또는 C2H4)에 아르곤(Ar) 가스를 혼합하여 중주파 플라즈마화학기상증착으로 형성하는 것을 특징으로 하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 2에 있어서, 상기 제2 버퍼층은 중주파 탄화수소(CH4 또는 C2H4)에 아르곤(Ar) 가스가 혼합된 플라즈마에 실란(SiH4) 가스를 추가로 혼합하여 화학적으로 탄화규소(SiC)를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 4에 있어서, 상기 중주파 탄화수소(CH4 또는 C2H4)에 아르곤(Ar) 가스가 혼합된 플라즈마에 실란(SiH4) 가스를 추가로 혼합하여 화학적으로 탄화규소(SiC)를 3분 내지 10분의 공정시간 동안 수행한 후, 1시간 내지 2시간 동안 중주파 탄화수소(CH4 또는 C2H4)에 아르곤(Ar) 가스가 혼합된 플라즈마 증착을 실시하여 유사 다이아몬드 박막을 증착하는 것을 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 1에 있어서, 상기 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치는, 외부와 독립되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 반응챔버;반응가스를 상기 반응챔버에 소정의 압력으로 공급하는 반응가스 공급부; 상기 반응챔버에서 반응이 완료된 반응가스를 배출하는 반응가스 배출부;상기 반응챔버 내에 중주파 전원을 공급하기 위한 중주파 전원 장치; 및상기 중주파 전원 장치와 각각 연결되며, 상기 반응챔버 내부에서 서로 대향되도록 설치되는 2개의 전극;을 포함하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 6에 있어서, 상기 전극에 인가되는 출력 주파수는 20~100 KHz의 주파수를 사용하여 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 6에 있어서, 상기 중주파 전원 장치를 구성하는 회로는 50~60Hz, 100~220V 교류 입력 전원과 전력 전달을 위해 하프 브릿지 회로 설계를 사용하며, 중주파 전원의 크기는 입력되는 주파수 변조 후 트랜스포머를 통해 승압되어 출력 단자에서 20~100 kHz의 주파수를 발생시키는 것을 특징으로 하는 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치를 이용한 유사 다이아몬드 박막 증착방법
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청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 따른 유사 다이아몬드 박막 증착방법에 따라 제조된 유사 다이아몬드 박막
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