| 1 |
1
(a) 실록산을 포함하는 다이아민 및 다이안하이드라이드를 반응시켜 폴리(이미드-실록산)을 수득하는 단계;(b) 상기 단계 (a)에서 수득한 폴리(이미드-실록산)과 알케닐아이소시아네이트 화합물을 반응시켜 알케닐 말단-폴리(이미드-실록산)을 수득하는 단계; 및(c) 상기 단계 (b)에서 수득한 알케닐 말단-폴리(이미드-실록산), 가교제 및 촉매를 혼합하여 하이드로실릴화 반응을 거쳐 가교 폴리(이미드-실록산)을 수득하는 단계를 포함하는 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 단계 (a)에서 다이안하이드라이드는 하기 화학식 1로 표현되는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서 R1은 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택된다
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 단계 (a)에서 실록산을 포함하는 다이아민은 하기 화학식 2로 표현되는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서 R2는 하기 화학식으로 표현되며,여기에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1-10 알킬, 또는 치환되거나 비치환된 C6-10 아릴이고, 치환되는 경우 할로, 메틸 또는 에틸기로 치환되며, n은 1 내지 2000 이내의 정수이다
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 -(CH2)mCH3 또는 페닐이고, m은 0 내지 5의 정수인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 단계 (a)는 (a1) 유기용매에서 실록산을 포함하는 다이아민 및 다이안하이드라이드를 반응시켜 폴리(아믹산-실록산) 용액을 제조하는 단계;(a2) 상기 단계 (a1)에서 수득한 폴리(아믹산-실록산) 용액에 촉매 및 탈수제를 첨가하여 폴리(이미드-실록산) 용액을 제조하는 단계; 및(a3) 상기 단계 (a2)의 폴리(이미드-실록산) 용액을 1회 이상 침전하여 폴리(이미드-실록산)을 수득하는 단계;를 포함하는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 단계 (a1)은 15 내지 45 ℃에서 10 내지 30시간 반응시키는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 단계 (b)에서 알케닐아이소시아네이트 화합물은 하기 화학식 3으로 표현되는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 R3는 최소 하나 이상의 이중결합을 포함하고, 이중결합은 -(N=C=O)q의 반대쪽 말단에 포함되는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 R3는 C2-6 알케닐인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 단계 (b)는 15 내지 45 ℃에서 10 내지 30시간 반응시키는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 단계 (c)의 가교제는 하기 003c#화학식 4003e#로 표현되는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 단계 (c)의 하이드로실릴화 반응은 진공 및 30 내지 250 ℃에서 진행하는 것인, 트랜지스터 보호막의 제조방법
|
| 13 |
13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 트랜지스터 보호막
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 트랜지스터 보호막은 열분해 온도 T5가 390 ℃이상인, 트랜지스터 보호막
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 트랜지스터 보호막은 열분해 온도 T10가 430 ℃이상인, 트랜지스터 보호막
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,상기 트랜지스터 보호막은 광 투과도가 90 % 이상인, 트랜지스터 보호막
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,상기 트랜지스터 보호막은 열 확산율이 0
|
| 18 |
18
제13항에 있어서,상기 트랜지스터 보호막은 열 전도도가 0
|
| 19 |
19
제13항에 있어서,상기 트랜지스터는 절연 게이트 양극성 트랜지스터인, 트랜지스터 보호막
|
