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절연층; 및상기 절연층 상에 배치되며, 인듐(In), 주석(Sn), 및 산소(O) 중 적어도 하나를 포함하는 제1층 및 은(Ag)을 포함하는 제2층을 포함하는 도전패턴;을 포함하고,상기 도전패턴의 가장자리를 정의하는 도전패턴의 측면은 염화은(AgClX)을 포함하는, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 절연층의 상면은 상기 도전패턴과 중첩하는 제1영역 및 상기 제1영역으로부터 연장된 제2영역을 포함하고,상기 제2영역에서 상기 절연층은 염소 성분(ClX)을 포함하는, 표시 장치
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제2항에 있어서,상기 도전패턴은 상기 절연층의 바로 위에 배치된, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 제1층 및 상기 제2층은 각각 건식 식각된 층인, 표시 장치
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제4항에 있어서,상기 도전패턴은 상기 절연층의 상면과 대향하는 도전패턴의 하면을 포함하고,상기 도전패턴의 하면 및 상기 도전패턴의 측면 사이의 각은 예각 및 직각 중 어느 하나인, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 제1층은 인듐틴옥사이드(ITO)를 포함하는, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 도전패턴은 인듐(In), 주석(Sn), 및 산소(O) 중 적어도 하나를 포함하는 제3층을 더 포함하고,상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층은 차례로 적층된, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 도전패턴 상에 배치된 발광층; 및상기 발광층 상에 배치된 대향전극;을 더 포함하고,상기 도전패턴은 화소전극인, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 도전패턴의 하부에 배치된 기판; 및상기 기판 및 상기 절연층 사이에 배치되며, 상기 도전패턴과 전기적으로 연결된 박막트랜지스터;를 더 포함하는, 표시 장치
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제1항에 있어서,상기 도전패턴은 배선인, 표시 장치
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절연층 및 상기 절연층 상에 인듐(In), 주석(Sn), 및 산소(O) 중 적어도 하나를 포함하는 제1층과 은(Ag)을 포함하는 제2층을 포함하는 도전층을 포함하는 디스플레이 기판을 챔버 내부에 배치시키는 단계;상기 챔버 내부로 수소 및 염화수소를 포함하는 가스를 공급하는 단계; 및상기 도전층과 상기 가스를 반응시켜 상기 도전층을 식각하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 가스의 유량에 대한 상기 수소의 유량의 비는 0
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제11항에 있어서,상기 가스의 유량에 대한 상기 수소의 유량의 비는 0
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제11항에 있어서,상기 챔버는 플라즈마 발생기와 연결되고,상기 도전층을 식각하는 단계는 상기 플라즈마 발생기에 의해 형성된 플라즈마를 사용하여 수행되고,상기 플라즈마 발생기는 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 발생기이고,상기 디스플레이 기판 및 상기 플라즈마 발생기는 3cm 이하로 이격된, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 도전층은 반응성 이온 식각되는, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 도전층을 식각하는 단계는,실버하이드라이드(AgHX)를 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 도전층은 인듐(In), 주석(Sn), 및 산소(O) 중 적어도 하나를 포함하는 제3층을 더 포함하고,상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층은 차례로 적층되며,상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층은 동일한 공정에서 식각되는, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 챔버 내부의 물질을 분광 분석하는 단계;를 더 포함하고,상기 도전층을 식각하는 반응은 상기 분광 분석의 결과를 고려하여 종료되는, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 도전층 상에 마스크개구부를 구비한 마스크를 배치시키는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 디스플레이 기판의 온도는 100℃ 이하로 유지되는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법
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