| 1 |
1
도전층을 포함하는 대상 기판을 서셉터 상에 배치하는 단계; 상기 대상 기판 상에 염소 및 수소를 포함하는 식각 가스를 제공하는 단계; 상기 식각 가스를 이용해 플라즈마 식각하는 단계; 상기 플라즈마 식각 단계 동안, 상기 대상 기판의 온도를 측정하는 단계; 및 식각 종료점을 산출하여 상기 식각 단계를 중지하는 단계를 포함하는 표시 패널 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 식각 종료점은 상기 플라즈마 식각 단계에서 생성된 생성물의 발광 스펙트럼의 세기 변화를 기초로 산출되는 표시 패널 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 생성물은 CuCl, CuCl2 및 CuH 중 적어도 하나를 포함하는 표시 패널 제조 방법
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 식각하는 단계 동안 상기 대상 기판의 온도는 100도 이하로 유지되는 표시 패널 제조 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 식각 검사 단계를 더 포함하고, 상기 대상 기판은 상기 도전층 하부에 배치된 절연층을 더 포함하며, 상기 식각 검사 단계는, 상기 대상 기판에 입사광을 조사하는 단계; 상기 대상 기판으로부터 반사된 반사광을 측정하는 단계; 및 상기 입사광과 상기 반사광을 기초로 상기 입사광이 입사되는 층의 두께를 산출하는 단계를 포함하는 표시 패널 제조 방법
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서, 상기 입사광은 상기 도전층에 입사되고, 상기 도전층의 두께는 상기 입사광과 상기 반사광의 간섭을 측정하여 산출되는 표시 패널 제조 방법
|
| 7 |
7
제5 항에 있어서, 상기 입사광은 상기 도전층에 입사되고, 상기 입사광은 편광된 광이며, 상기 도전층의 두께는 상기 반사광이 상기 입사광으로부터 편광된 변화량을 측정하여 산출되는 표시 패널 제조 방법
|
| 8 |
8
제5 항에 있어서, 상기 입사광은 상기 절연층에 입사되고, 상기 입사광과 상기 반사광을 기초로 상기 절연층의 두께를 산출하는 표시 패널 제조 방법
|
| 9 |
9
제5 항에 있어서, 상기 식각 종료점은 상기 플라즈마 식각 단계에서 생성된 생성물의 발광 스펙트럼의 세기 변화 및 상기 입사광이 입사되는 층의 두께를 기초로 산출되는 표시 패널 제조 방법
|
| 10 |
10
식각 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 처리 공간 내에 배치되고, 도전층을 포함하는 대상 기판을 지지하는 서셉터; 상기 챔버 상에 배치되는 플라즈마 소스 모듈; 상기 챔버와 연결되며 상기 도전층과 마주하도록 배치된 윈도우; 및 상기 윈도우 상에 상기 도전층과 마주하도록 배치되고, 식각 생성물의 발광 스펙트럼을 측정하는 스펙트럼 측정 모듈을 포함하고, 상기 생성물은 CuCl 및 CuH를 포함하는 식각 장치
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서, 상기 윈도우 상에 상기 도전층과 마주하도록 배치된 온도 측정 모듈을 더 포함하고, 상기 온도 측정 모듈은 상기 도전층의 온도를 측정하는 식각 장치
|
| 12 |
12
제10 항에 있어서, 상기 스펙트럼 측정 모듈 및 상기 플라즈마 소스 모듈에 연결된 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 생성물의 발광 스펙트럼을 기초로 식각 종료점을 산출하고, 상기 식각 종료점에 도달 시, 상기 플라즈마 소스 모듈을 제어하는 식각 장치
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 윈도우 상에 배치된 검사 모듈을 더 포함하고,상기 검사 모듈은 상기 도전층의 두께 변화를 측정하는 식각 장치
|
| 14 |
14
제13 항에 있어서, 상기 검사 모듈은, 상기 대상 기판 상에 광을 조사하는 광 조사부; 및 상기 대상 기판으로부터 반사된 반사광을 감지하는 광 감지부를 포함하고, 상기 광의 입사 방향은 상기 광의 입사면의 법선 방향과 교차하는 식각 장치
|
| 15 |
15
제13항에 있어서, 상기 광 조사부는 편광자를 더 포함하는 식각 장치
|
| 16 |
16
제10항에 있어서, 상기 플라즈마 소스 모듈은 전자 사이클로트론 공명(ECR) 소스 모듈을 포함하는 식각 장치
|
| 17 |
17
제10 항에 있어서, 상기 서셉터를 냉각하는 냉각 모듈을 더 포함하는 식각 장치
|
| 18 |
18
식각 공정이 수행되는 처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 처리 공간 내에 배치되고, 도전층을 포함하는 대상 기판을 지지하는 서셉터; 상기 챔버 상에 배치되는 플라즈마 소스 모듈; 상기 챔버와 연결되며 상기 도전층과 마주하도록 배치된 윈도우; 및 상기 윈도우 상에 상기 도전층과 마주하도록 배치된 스펙트럼 측정 모듈, 열 화상 카메라 모듈 및 검사 모듈을 포함하고, 상기 스펙트럼 측정 모듈은 식각 생성물의 발광 스펙트럼을 측정하고, 상기 열 화상 카메라 모듈은 상기 도전층의 온도를 측정하며, 상기 검사 모듈은 상기 도전층의 두께 변화를 측정하는 식각 장치
|
| 19 |
19
제18 항에 있어서, 상기 검사 모듈은 스펙트럼 반사계 또는 타원계측기를 포함하는 식각 장치
|
| 20 |
20
제18 항에 있어서, 상기 스펙트럼 측정 모듈, 상기 열 화상 카메라 모듈, 상기 검사 모듈 및 상기 플라즈마 소스 모듈에 연결된 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는 식각 공정 동안 상기 생성물의 발광 스펙트럼, 상기 도전층의 온도 및 상기 도전층의 두께 변화를 모니터링하여 상기 플라즈마 소스 모듈을 제어하는 식각 장치
|
