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유도 결합 플라즈마 식각 장치 및 이를 이용한 유도 결합 플라즈마 식각 방법

  • 기술번호 : KST2022022156
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가스 소스가 제공되는 내부 공간을 가지는, 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내부 공간에 전기장을 유도하고, 상기 전기장에 의해 상기 가스 소스로부터 유도 결합 플라즈마를 형성하는, 상부 코일부, 상기 상부 코일부에 대향하되, 상기 유도 결합 플라즈마에 의해 식각되는 피식각체가 배치되는, 탑재부, 및 상기 탑재부의 하 측에 마련되되, 상기 유도 결합 플라즈마를 이루되 식각에 관여하는 이온 및 중성 활성종 중에서 적어도 어느 하나를, 상기 탑재부에 배치된 피식각체 방향으로 유도하는, 하부 전극부를 포함하되, 상기 하부 전극부의 주파수는 상기 상부 코일부의 주파수 보다 낮은, 유도 결합 플라즈마 식각 장치가 제공된다. 또한 상부 전극에 인가되는 주파수 보다 낮은 주파수의 전원을 하부 전극에 인가함으로써, 유도 결합 플라즈마 장치를 이용하여, 마스크 물질로 패턴된 피식각체를 수직하게 식각하는 방법을 제공한다.
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32146(2013.01) H01J 37/32174(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01J 2237/3341(2013.01)
출원번호/일자 1020210088952 (2021.07.07)
출원인 고려대학교 세종산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0143540 (2022.10.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210049643   |   2021.04.16
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 대한민국 세종특별자치시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권광호 대전광역시 유성구
2 임노민 세종특별자치시
3 이병준 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 월드메르디앙*차 **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-0782819-13
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번호 청구항
1 1
가스 소스가 제공되는 내부 공간을 가지는, 반응 챔버;상기 반응 챔버 내부 공간에 전기장을 유도하고, 상기 전기장에 의해 상기 가스 소스로부터 유도 결합 플라즈마를 형성하는, 상부 코일부;상기 상부 코일부에 대향하되, 상기 유도 결합 플라즈마에 의해 식각되는 피식각체가 배치되는, 탑재부; 및상기 탑재부의 하 측에 마련되되, 상기 유도 결합 플라즈마를 이루되 식각에 관여하는 이온 및 중성 활성종 중에서 적어도 어느 하나를, 상기 탑재부에 배치된 피식각체 방향으로 유도하는, 하부 전극부;를 포함하되,상기 하부 전극부의 주파수는 상기 상부 코일부의 주파수 보다 낮은, 유도 결합 플라즈마 식각 장치
2 2
제1 항에 있어서, 상기 상부 코일부에 고주파 전력을 인가하는, 고주파 전력 공급원;상기 하부 전극부에 저주파 전력을 인가하는, 저주파 전력 공급원;상기 고주파 전력 공급원과 상기 상부 코일부 사이의 전력 공급 라인에 마련된, 고주파 전력 매칭부; 및상기 저주파 전력 공급원과 상기 하부 전극부 사이의 전력 공급 라인에 마련된, 저주파 전력 매칭부;를 더 포함하되,상기 저주파 전력 공급원은, 상기 하부 전극부에 상기 저주파 전력을 펄스로 인가하는, 유도 결합 플라즈마 식각 장치
3 3
제1 항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부 공간에, 상기 가스 소스를 제공하는, 가스 공급 유닛을 더 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은, 상온에서 액상 상태인 액상 소스를 보관하는, 액상 소스 보관부;상기 액상 소스 보관부를 둘러싸며, 상기 액상 소스 보관부에 보관된 액상 소스를 가열하여, 상기 액상 소스로부터 상기 가스 소스를 형성하는, 히팅부;상기 가스 소스를 운반하기 위한, 캐리어 가스;상기 가스 소스 및 상기 캐리어 가스 중에서 적어도 어느 하나의 유량을 조절하는, 유량 조절부; 및상기 캐리어 가스에 의해 운반된 상기 가스 소스를 상기 반응 챔버 내부 공간으로 공급하는, 가스 소스 공급부;로 구성된, 유도 결합 플라즈마 식각 장치
4 4
제3 항에 있어서,상기 가스 공급 유닛은,상온에서 가스 상태인 가스 소스를 보관하는, 가스 소스 보관부를 더 포함하는, 유도 결합 플라즈마 식각 장치
5 5
제1 항에 있어서,상기 상부 코일부의 하 측에 배치된 유전체 판; 및상기 반응 챔버 내부 공간의 압력을 조절하는, 압력 조절부;를 더 포함하는, 유도 결합 플라즈마 식각 장치
6 6
제1 항에 있어서,상기 피식각체가 식각되어 상기 피식각체에 형성된 패턴은, 상기 상부 코일부를 향하는 층으로 정의되는 상층 및 상기 하부 전극부를 향하는 층으로 정의되는 하층에서, 상기 하층의 상기 상층에 대한 CD(Critical Dimension) 비율 범위가 0
7 7
반응 챔버 내부 공간 하 측에 피식각체를 배치하는 단계;상기 반응 챔버 내부 공간에 가스 소스를 제공하는 단계;상기 반응 챔버 내부 공간 상부 코일부에 의해, 상기 반응 챔버 내부 공간에 전기장을 유도하고, 상기 전기장에 의해 상기 가스 소스로부터 유도 결합 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 상부 코일부에 대향하는 하부 전극부에 의해, 상기 유도 결합 플라즈마를 이루되 식각에 관여하는 이온 및 중성 활성종 중에서 적어도 어느 하나를, 상기 피식각체 방향으로 유도하여, 상기 피식각체를 식각하는 단계;를 포함하되,상기 하부 전극부의 주파수는 상기 상부 코일부의 주파수 보다 낮은 것을 포함하는, 유도 결합 플라즈마 식각 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 하부 전극의 주파수는, 상기 상부 코일부의 주파수 보다 낮되,400 kHz 이상 내지 13
9 9
제7 항에 있어서,상기 피식각체를 식각하는 단계는,상기 하부 전극부에 저주파 전력을 펄스로 인가하여 이온 에너지를 조절하는 것을 포함하는, 유도 결합 플라즈마 식각 방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 가스 소스를 제공하는 단계는,상온에서 액상 상태인 액상 소스를 보관하는 단계;상기 보관된 액상 소스를 가열하여, 상기 액상 소스로부터 상기 가스 소스를 형성하는 단계;상기 가스 소스에, 상기 가스 소스를 운반하기 위한 캐리어 가스를 제공하는 단계; 및상기 캐리어 가스에 의해 운반된 상기 가스 소스를 상기 반응 챔버 내부 공간으로 공급하는 단계;를 포함하되,상기 캐리어 가스를 제공하는 단계 및 상기 가스 소스를 상기 반응 챔버 내부 공간으로 공급하는 단계 중에서 적어도 어느 하나의 단계에서, 상기 가스 소스 및 상기 캐리어 가스 중에서 적어도 어느 하나의 유량을 조절되는 것을 포함하는, 유도 결합 플라즈마 식각 방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 산업통상자원부 충남대학교산학협력단 전자부품산업기술개발(R&D) 플라즈마실시간 공정모니터링 센서 및 공정모사기술 개발