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금속 촉매 박막에 탄소 함유 물질을 포함하는 가스를 공급하면서 열처리하여 금속 촉매 박막에 탄소를 고용하는 제1 열처리단계;상기 금속 촉매 박막을 급냉시키는 급냉단계;상기 금속 촉매 박막의 표면에 형성된 흑연을 제거하는 흑연 제거단계; 및상기 금속 촉매 박막을 열처리하여 상기 금속 촉매 박막의 표면에서 흑연을 성장시키는 제2 열처리단계;를 포함하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매 박막은, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 규소(Si) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 함유 물질은, C1-10 알칸, C2-10 알켄, C2-10 알킨 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 함유 물질은, 비정질 탄소 또는 폴리머인 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 함유 물질을 포함하는 가스는, 화학적 기상 증착법, 물리적 기상 증착법 또는 스핀 코팅법에 의해 상기 금속 촉매 박막에 공급되는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 열처리단계 및 상기 제2 열처리단계는, T-CVD 장비, PE-CVD 장비, RTA 장비 또는 Laser flashing 장비를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 열처리단계에서의 열처리 온도는 600 ~ 1300℃인 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 급냉단계에서는, 상기 금속 촉매 박막의 온도가 450℃ 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 흑연 제거단계에서는, 플라즈마 처리를 통해 상기 금속 촉매 박막의 표면에 형성된 흑연을 제거하는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 플라즈마 처리시 RF 파워는 10W 내지 500W인 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 플라즈마 처리의 시간은 5초 내지 90분인 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 플라즈마 처리시에는 아르곤(Ar) 가스, 수소(H2) 가스, 산소(O2) 가스, 염소(Cl2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 열처리단계에서의 열처리 온도는 상기 제1 열처리단계에서의 열처리 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 흑연 박막의 제조 방법
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 의한 제조 방법에 의해 제조된 흑연 박막
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 의한 제조 방법에 의해 제조된 흑연 박막을 포함하는 펠리클
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