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하기 화학식 1의 친수성 단위 단량체;하기 화학식 2의 소수성 단위 단량체; 및 하기 화학식 3의 소수성 단위 단량체의 공중합에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자:003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e# 상기 화학식 1 내지 화학식 3에 있어서,A1 과 A2는 서로 같거나 다를 수 있는 단일 결합 또는 전자끌게기로서 -(C=O)-, -P(=O)-, -CF2-, -C(CF3) 2- 및 -SO2-로 부터 선택된 어느 하나이고, X는 염소(Cl), 브롬(Br) 혹은 요오드(I) 중 어느 하나이며, R1, R2, R3, R4, 및 R5 는 모두 수소 원자 이거나 혹은 적어도 하나의 플루오린 원자, 아릴기, 시아노기, 퍼플루오로알킬기 중 어느 하나이거나, 선택적으로 그 쇄에 하나 이상의 산소, 질소, 또는 황 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬아릴기, 퍼플루오로아릴기 및 -O- 퍼플루오로아릴기 중 어느 하나이고,R6 은 수소 원자, 플루오린 원자, 알킬기, 아릴기, 플루오로알킬기, 플루오로아릴기, 시아노기, 퍼플루오로알킬기 중 어느 하나이거나, 선택적으로 그 쇄에 하나 이상의 산소, 질소, 또는 황 원자를 포함하는 퍼플루오로알킬아릴기, 퍼플루오로아릴기 및 -O- 퍼플루오로아릴기 중 어느 하나이다
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2
청구항 1에 있어서,상기 고분자는 하기 화학식 4의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 고분자:003c#화학식 4003e#상기 화학식 4의 폴리페닐렌 고분자를 이루는 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3의 단량체 중 적어도 하나 이상은 meta 또는 ortho 위치의 결합을 이루고,l, m, n 및 p는 양의 정수로 0
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3
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 고분자의 화학식 1로 표시되는 친수성 단위 단량체 유래 반복단위에서의 할로겐화 반응에 의하여 하기 화학식 5의 화학구조를 가지는 할로겐화 고분자를 제조한 후,003c#화학식 5003e#상기 화학식 5의 화학구조를 가지는 할로겐화 고분자의 아자이드화 반응에 의하여 하기 화학식 6의 화학구조를 가지는 아자이드화 고분자를 제조하고,003c#화학식 6003e#003c#화학식 7003e#상기 화학식 6의 아자이드화 고분자와 상기 화학식 7의 화합물의 클릭반응을 통해 제조되어,하기 화학식 8의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 이온전도성 전구체 고분자:003c#화학식 8003e#상기 화학식 5 내지 화학식 8에 있어서, l, m, n 및 p는 양의 정수로 0
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4
청구항 3에 기재된 이온전도성 전구체 고분자의 이온교환기 도입 반응을 통하여 제조되어 하기 화학식 9의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 음이온 전도성 고분자:003c#화학식 9003e#상기 화학식 9에 있어서, l, m, n 및 p는 양의 정수로 0
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5
하기 화학식 1의 친수성 단위 단량체; 하기 화학식 2의 소수성 단위 단량체; 및 하기 화학식 3의 소수성 단위 단량체의 공중합에 의하여 하기 화학식 4의 화학구조를 가지는 고분자를 제조하는 단계;003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e# 003c#화학식 4003e#상기 화학식 4로 표시되는 고분자의 화학식 1로 표시되는 친수성 단위 단량체 유래 반복단위에서의 할로겐화 반응에 의하여 하기 화학식 5의 화학구조를 가지는 할로겐화 고분자를 제조하는 단계;003c#화학식 5003e#상기 화학식 5의 화학구조를 가지는 할로겐화 고분자의 아자이드화 반응에 의하여 하기 화학식 6의 화학구조를 가지는 아자이드화 고분자를 제조하고,003c#화학식 6003e#003c#화학식 7003e#상기 화학식 6의 아자이드화 고분자와 상기 화학식 7의 화합물의 클릭반응을 통해 제조되어, 하기 화학식 8의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 이온전도성 전구체 고분자 제조단계; 및003c#화학식 8003e#상기 화학식 8의 이온전도성 전구체 고분자의 이온교환기 도입 반응을 통하여 제조되어 하기 화학식 9의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 음이온 전도성 고분자의 제조방법:003c#화학식 9003e#상기 화학식 1 내지 화학식 9에 있어서, l, m, n 및 p는 양의 정수로 0
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6
청구항 5에 있어서,상기 할로겐화반응 단계는 브로민화 반응을 이용하는 것을 특징으로 하는 음이온 전도성 고분자의 제조방법
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7
청구항 5에 있어서,상기 이온교환기 도입반응은 이온교환작용기로서 아민기, 암모늄기, 아미노기, 이민기, 술포늄기, 포스포늄기, 피리딜기, 카바졸릴기 및 이미다졸릴기에서 선택되는 음이온 교환 작용기 또는 이들의 염 상태의 음이온 교환 작용기 중 어느 하나를 도입하는 것을 특징으로 하는 폴리페닐렌계 음이온 교환 고분자의 제조방법
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청구항 4에 기재된 음이온 전도성 고분자를 포함하는 분리막으로 단일막, 복합막, 강화막, 및 강화복합막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 분리막
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청구항 8에 있어서,상기 분리막은 그 용도가 수전해, 레독스 흐름전지, 연료전지, 전기화학적 이산화탄소의 환원, 전기화학적 암모니아의 합성, 전기투석(electrodialysis: ED), 역전기투석(reverse electrodialysis: RED) 또는 축전식탈염(capacitive deionization:CDI)용 막인 것을 특징으로 하는 분리막
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청구항 9에 있어서,상기 분리막은 수전해용 음이온교환막(Anion Exchange Membrane for Water Electorolysis: AEMWE)인 것을 특징으로 하는 분리막
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청구항 10에 따른 분리막을 수전해용 음이온교환막(Anion Exchange Membrane for Water Electorolysis: AEMWE)으로 포함하는 것을 특징으로 하는 수전해장치
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청구항 9에 있어서,상기 분리막은 전기화학적 이산화탄소의 환원장치용 음이온교환막(Anion Exchange Membrane for Electrochemical CO2 Reduction Reaction: AEM ECO2RR)인 것을 특징으로 하는 분리막
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청구항 12에 따른 분리막을 전기화학적 이산화탄소의 환원장치용 음이온교환막(Anion Exchange Membrane for Electrochemical CO2 Reduction Reaction: AEM ECO2RR)으로 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 이산화탄소의 환원장치
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