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기판 상에 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하는 전구체 용액 도포 단계; 및상기 도포된 페로브스카이트 전구체 용액 상에 반용매를 도포하는 반용매 도포 단계를 포함하는, 반용매 증발 제어법을 이용한 페로브스카이트 제조 방법으로서,상기 전구체 용액 도포 단계에서 상기 기판 및 상기 페로브스카이트 전구체 용액의 온도는 상기 반용매의 끓는점의 ±20℃ 온도 범위인,페로브스카이트 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반용매는 톨루엔, 클로로벤젠 및 클로로포름 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 페로브스카이트 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 페로브스카이트 전구체 용액의 온도를 상기 반용매의 끓는점의 ±20℃ 온도 범위로 함으로써, 상기 도포된 페로브스카이트 전구체 용액 상의 상기 반용매의 증발 속도가 균일하게 제어되는 것인, 페로브스카이트 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전구체 용액 도포 단계는 스핀 코팅법, 스프레이법 및 침지법 중에서 선택되는 하나 이상으로 수행되는 것인, 페로브스카이트 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반용매 도포 단계 후 어닐링 단계를 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 제조 방법을 통해, 격자 단위(n)가 1 내지 3의 정수인 유사-이차원의 페로브스카이트 결정이 전체 결정의 95% 이상의 비율로 수득되는 것인, 페로브스카이트 제조 방법
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제 1 항에 따른 방법으로 제조된 페로브스카이트로서,하기 화학식 1로서 표시되는, 페로브스카이트:[화학식 1] (ANH3)2B(m-1)CmX3m+1상기 화학식 1에서 A는 아릴-알킬(arylalkyl)기 또는 탄소수 1 내지 10의 선형 알킬기를 포함하는 것이고, B는 RNH3 및 Cs 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, R은 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하는 것이고, C는 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+ 및 Ge2+ 중에서 선택되는 하나 이상의 금속 양이온을 포함하는 것이고, X는 Cl-, Br- 및 I- 중에서 선택되는 하나 이상의 할라이드 음이온을 포함하는 것이고,m은 2 이상의 정수임
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제 7 항에 있어서,상기 페로브스카이트는 격자 단위(n)가 1 내지 3의 정수인 유사-이차원인 것인, 페로브스카이트
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제 7 항에 있어서,상기 페로브스카이트는 최대 발광 피크의 파장이 440 nm 내지 500 nm인 것인, 페로브스카이트
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제 7 항에 있어서,상기 페로브스카이트는 최대 발광 피크의 반치폭이 20 nm 이하인 것인, 페로브스카이트
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제 7 항에 따른 페로브스카이트를 발광층으로서 포함하는, 발광 다이오드
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제 11 항에 있어서,상기 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 상에 형성된 정공주입층, 상기 정공주입층 상에 형성된 상기 페로브스카이트를 포함하는 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 전자수송층, 및 상기 전자수송층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하는 것인, 발광 다이오드
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