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반도체성 탄소나노튜브를 분리하여 수득하는 단계; 상기 반도체성 탄소나노튜브를 트랜지스터에 코팅하는 단계; 상기 반도체성 탄소나노튜브에 연결체를 결합하는 단계; 및 상기 연결체에 아밀로이드 베타 항체를 결합하는 단계를 포함하는,알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체성 탄소나노튜브를 분리하여 수득하는 단계는금속성 탄소나노튜브 및 반도체성 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 원재료를 공액고분자를 포함하는 용매에 투입하여 혼합하는 혼합단계; 혼합된 용액을 원심분리기로 분리하여 상층액을 수득하는 분리단계; 및상기 상층액으로부터 농축 또는 여과에 의해 공액고분자가 결합한 반도체성 탄소나노튜브만을 수득하는 단계를 포함하는,알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 용매는 메틸사이클로헥세인(methyl cyclohexane), 톨루엔(toluene), 자일렌(xylene) 및 사이클로헥세인(cyclohexane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 공액고분자는 티오펜(thiophene) 단위체, 디케토피롤로피롤(diketopyrrolopyrrole, DPP) 단위체, 나프탈렌 디이미드(naphthalene diimide, NDI) 및 플루오렌(fluorene) 단위체를 중합한 중합체로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 공액고분자는 PFDD(Poly(9,9-di-n-dodecylfluorenyl-2,7-diyl)) 또는 PFDD-N3인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 혼합단계는 1℃ 이상 20℃ 미만에서 수행되는 것인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 분리단계는 원심분리기를 사용하여 상대원심력 7,000 내지 100,000g로 10 내지 180분간 수행되는 것인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체성 탄소나노튜브를 트랜지스터에 코팅하는 단계는도핑된 실리콘 위에 이산화규소(SiO2)를 성장시킨 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 테플론을 코팅한 뒤 채널 영역만을 식각하여 채널 영역을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝 된 채널 영역에 상기 반도체성 탄소나노튜브를 코팅하는 단계를 포함하는,알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 연결체는 파이렌(Pyrene), 안트라센(Anthracene) 및 1-피렌부탄산 숙신이미딜 에스터(1-pyrenebutanoic acid succinimidyl ester)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체성 탄소나노튜브에 연결체를 결합하는 단계는 반도체성 탄소나노튜브와 연결체가 파이-파이 쌓임(pi-pi stacking)을 통해 비공유 결합하는 것인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 연결체에 아밀로이드 베타 항체를 결합하는 단계는 연결체의 말단(end group)에 존재하는 N-히드록시숙신이미드(N-Hydroxysuccinimide)기와 아밀로이드 베타 항체의 NH2기가 아마이드 결합(amide coupling)하는 것인, 알츠하이머병 진단 센서의 제조 방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 알츠하이머병 진단 센서
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제12항에 있어서,상기 알츠하이머병 진단 센서는 950 내지 1200 nm의 흡광 파장을 갖는 반도체성 탄소나노튜브를 포함하는 것인, 알츠하이머병 진단 센서
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제12항에 있어서,상기 알츠하이머병 진단 센서는 지름이 1 nm 이상인 반도체성 탄소나노튜브를 포함하는 것인, 알츠하이머병 진단 센서
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