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광 반응이 가능한 제 1 전이금속 산화물을 전해질 내에 함침하는 단계;상기 전해질 상에 전압을 인가하여 상기 제 1 전이금속 산화물 표면에 전기화학적 산화반응을 발생시키는 단계; 및상기 전압을 인가하는 단계와 동시에 상기 제 1 전이금속 산화물 상에 광을 조사하여, 상기 제 1 전이금속 산화물 표면에 제 2 전이금속 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 광을 조사함으로써 상기 제 1 전이금속 산화물의 표면 상에서 산화반응을 촉진하고, 포토-차징 (photo-charging)에 의해 상기 제 1 전이금속 산화물의 표면 결함이 자가 치유 되는 것인, 광전극의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물은 Cu2O, TiO2, Fe2O3, In2O3, Ta2O5, WO3, ZnO, BiVO4, BaSnO3, CuWO4, CuFeO2 및 BaTiO3로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전이금속 산화물은 CuO, TiO2, Fe2O3, In2O3, Ta2O5, WO3, ZnO, BiVO4, BaSnO3, CuWO4, CuFeO2, BaTiO3, SnO2, CuBi2O4, Ga2O3, Bi2O3, Co3O4, V2O5 및 NiO로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 광전극의 제조 방법은 상온에서 수행되는 것인, 광전극의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물 박막의 두께는 1 nm 내지 100 nm 인 것인, 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전압은 1
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제 1 항에 있어서,상기 전해질의 pH는 8 내지 13인 것인, 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물은 기판 상에 형성된 것인, 광전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 기판은 투명한 것인, 광전극의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 기판은 ITO, 금속나노와이어, 탄소나노튜브, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 광전극의 제조 방법
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제 1항 내지 제 11항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된, 광전극
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제 12 항에 따른 광전극 및 상대 전극을 포함하고, 상기 광전극과 상기 상대 전극이 전기적으로 연결된 것인, 광전기화학전지
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제 13 항에 있어서, 상기 상대 전극은 Pt, C, Au, Cu, Fe, Ni, Ir, Pd 및 Ta 로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 광전기화학전지
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