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전부 또는 적어도 일부 표면이 비가교 상태로 탄성을 가지는 고분자층을 포함하는 기판을 준비하는 단계;고분자층에 콜로이드 입자를 도포하는 단계;콜로이드 입자가 도포된 기판을 가열하여 콜로이드 입자를 고분자층에 매립시키는 단계;콜로이드 입자를 제거하는 단계; 및고분자층 표면에 금속을 증착하는 단계;를 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 네거티브 포토레지스트 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 0
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제1항에 있어서,상기 고분자층을 포함하는 기판을 준비하는 단계는,기판에 비가교 상태로 탄성을 지닌 고분자층을 형성하는 단계; 및고분자층의 적어도 일부 표면에 광을 조사하여 가교시키는 단계;를 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 고분자층을 형성하는 단계는,기판에 비가교 상태로 탄성을 지닌 고분자층을 코팅하는 단계; 및상기 고분자층을 열처리하는 단계;를 더 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 고분자층의 적어도 일부 표면에 광을 조사하여 가교시키는 단계는,포토 마스크를 이용하여 수행되는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 광을 조사하여 가교시키는 단계를 수행하고 난 후, 기판을 열처리 하는 단계를 더 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 콜로이드 입자는 실리카 입자, 폴리스티렌 입자 및 산화 그래핀 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 콜로이드 입자는 직경이 50 nm 내지 800 nm인 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,콜로이드 입자가 고분자층에 매립되는 것은, 콜로이드 입자가 도포된 기판을 50℃ 내지 200℃의 온도 범위로 가열하여 수행되며, 비가교 상태로 탄성을 가지는 고분자층 표면에 위치한 콜로이드 입자가 매립되는 것인 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 콜로이드 입자를 제거하는 단계는,식각액에 기판을 침지시켜 수행되는 것인 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 층 표면에 증착되는 금속은 알루미늄, 금, 은 및 구리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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전부 또는 적어도 일부 표면이 비가교 상태로 탄성을 가지는 고분자층을 포함하는 기판을 준비하는 단계;고분자층에 콜로이드 입자를 도포하는 단계;콜로이드 입자가 도포된 기판을 가열하여 콜로이드 입자를 고분자층에 매립시키는 단계;콜로이드 입자가 매립된 고분자층 상부에 포토 마스크를 위치시키고, 광을 위치 선택적으로 조사한 후 가열하는 단계;콜로이드 입자를 제거하는 단계; 및고분자층 표면에 금속을 증착하는 단계;를 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재의 제조방법
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제1항의 제조방법으로 제조되고,기판; 기판 상부에 형성된 고분자층; 및 고분자층 표면에 형성된 금속층을 포함하고,상기 고분자층은 일정 패턴 구조가 형성된 표면 및 일정 패턴 구조가 형성되지 않은 표면을 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재
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제14항에 있어서,상기 일정 패턴 구조는 딤플 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재
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제15항에 있어서,상기 금속층은 딤플 구조의 일정 패턴에 형성되어 곡선형 디스크 구조를 이루는 것인 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재
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제13항의 제조방법으로 제조되고,기판; 기판 상부에 형성된 고분자층; 및 고분자층 표면에 형성된 금속층을 포함하고,상기 고분자층은 일정 패턴 구조가 형성된 제1 표면, 일정 패턴 구조가 변형된 패턴 구조가 형성된 제2 표면 및 패턴 구조가 형성되지 않은 표면을 포함하는 플라즈모닉 메타표면을 가지는 소재
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