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전극 및 페로브스카이트층을 포함하는 광소자로서,상기 전극 상에, Norbornene을 포함하는 폴리머로 10 ~ 200 nm의 두께를 가지도록 형성된 제1 보호층; 및상기 제1 보호층 상에, 상기 제1 보호층의 폴리머와 상이한 폴리머로 형성되어 상기 광소자를 봉지화(encapsulation)하는 제2 보호층을 포함하는, 광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보호층은 Norbornene과 5-octyl-2-norbornene을 약 1:9 ~ 약 7:3의 몰 비로 공중합한 폴리머로 형성되는, 광소자
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제2항에 있어서,상기 제1 보호층은 Norbornene과 5-octyl-2-norbornene을 약 7:3의 몰 비로 공중합한 폴리머로 형성되는, 광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 보호층은 Norbornene과 5-vinyl-2-norbornene을 약 1:9 ~ 약 7:3의 몰 비로 공중합한 폴리머로 형성되는, 광소자
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제4항에 있어서,상기 제1 보호층은 Norbornene과 5-vinyl-2-norbornene을 약 5:5의 몰 비로 공중합한 폴리머로 형성되는, 광소자
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전극 및 페로브스카이트층을 포함하는 광소자 제조 방법으로서,전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 제1 보호층을 10 ~ 200 nm의 두께로 형성하는 단계; 및상기 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하여 상기 광소자를 봉지화(encapsulation)하는 단계를 포함하고,상기 제1 보호층은, Norbornene을 포함하는 폴리머가 용해된 용액을 상기 전극 상에 스핀 코팅하여 형성되는, 광소자 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 용액은 사이클로헥세인(cyclohexane)을 용매로 포함하는, 광소자 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 폴리머는 Norbornene과 5-octyl-2-norbornene을 약 1:9 ~ 약 7:3의 몰 비로 공중합한 폴리머에 해당하는, 광소자 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 폴리머는 Norbornene과 5-octyl-2-norbornene을 약 7:3의 몰 비로 공중합한 폴리머에 해당하는, 광소자 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 폴리머는 Norbornene과 5-vinyl-2-norbornene을 약 1:9 ~ 약 7:3의 몰 비로 공중합한 폴리머에 해당하는, 광소자 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 폴리머는 Norbornene과 5-vinyl-2-norbornene을 약 5:5의 몰 비로 공중합한 폴리머에 해당하는, 광소자 제조 방법
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