| 1 |
1
비스무트(Bi) 전구체 및 텔루륨(Te) 전구체가 포함된 용액에 탄소(C) 천을 담근 후, 상기 용액을 가열하여 탄소 천 상에 텔루륨화 비스무트(Bi2Te3)을 형성하는 단계를 포함하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 비스무트 전구체는 Bi2O3 이고, 상기 텔루륨 전구체는 TeO2 인 것을 특징으로 하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 용액은 셀레늄(Se) 전구체를 더 포함하여, 상기 탄소 천 상에 형성된 텔루륨화 비스무트를 셀레늄으로 도핑하는 것을 특징으로 하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 셀레늄 전구체는 SeO2 인 것을 특징으로 하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 용액 내 상기 텔루륨 전구체의 텔루륨과 상기 용액 내 상기 셀레늄 전구체의 셀레늄의 몰비율은 9:1 내지 1:1인 것을 특징으로 하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 용액 내 상기 텔루륨 전구체의 텔루륨과 상기 용액 내 상기 셀레늄 전구체의 셀레늄의 몰비율은 8:2 내지 6:4인 것을 특징으로 하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 용액은 150 내지 250 ℃에서 1 내지 50 시간 동안 가열되는 것을 특징으로 하는,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자 제조 방법에 의해 제조된,탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자
|
| 9 |
9
제1 전극;상기 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극; 및제7항에 따른 탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자로써, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 각각 연결된 탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자;를 포함하는,텔루륨화 비스무트 열전 발전기
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 텔루륨화 비스무트 열전 발전기는, 상기 탄소 천 상 텔루륨화 비스무트 열전 소자의 양면의 온도차가 20 내지 40 K인 경우, 600 내지 1000 nW의 전력을 생산하는 것을 특징으로 하는,텔루륨화 비스무트 열전 발전기
|
