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그래핀;상기 그래핀에 도핑되는 2종 이상의 이종원소; 및상기 그래핀에 결합되는 1개 이상의 금속나노와이어;를 포함하는 고전도성 그래핀복합체
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 10층 이하의 층 구조를 갖는 산화그래핀, 환원그래핀 및 순수 그래핀 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 1 항에 있어서,상기 이종원소는 붕소, 질소, 황으로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 고전도성 그래핀복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속나노와이어는 은, 금, 철, 구리로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 4 항에 있어서,상기 금속나노와이어는 직경 60~150 nm, 길이 10~50 μm 인 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 1 항에 있어서,상기 이종원소는 1~10 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속나노와이어는 1~10 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,전기전도도가 2011 S/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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그래핀과 1종이상의 이종원소전구체가 혼합된 전구체조성물1을 준비하는 제1단계;상기 전구체조성물1을 1차 열처리하여 이종원소가 도핑된 그래핀1을 제조하는 제2단계;상기 이종원소가 도핑된 그래핀1에 다른 종류의 이종원소를 포함하는 이종원소전구체를 1종 이상 첨가하여 전구체조성물2를 준비하는 제3단계; 및상기 전구체조성물2를 2차 열처리하여 이종원소가 도핑된 그래핀2를 제조하는 제4단계; 및상기 이종원소가 도핑된 그래핀2에 금속나노와이어를 첨가하는 제5단계;를 포함하는 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제5단계를 수행하기 전에 상기 이종원소가 도핑된 그래핀2로부터 미반응된 이종원소전구체를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 이종원소는 붕소, 질소, 황으로 구성된 그룹에서 선택되는 2종 이상인 것을 특징으로 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 이종원소가 붕소이면 상기 전구체조성물1 또는 2에 포함되는 붕소전구체는 산화붕소(B2O3), 탄화붕소(B4C), 붕산(B3BO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이고, 상기 이종원소가 질소이면 상기 전구체조성물1 또는 2에 포함되는 질소전구체는 요소 (CH4N2O), 암모니아 (NH3), 다이에틸렌트리아민 (C4H13N3)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며, 상기 이종원소가 황이면 상기 전구체조성물1 또는 2에 포함되는 황전구체는 싸이오요소 (CH4N2S), 티오아세트아미드 (C2H5NS), 에틸렌 글라이콜 (C2H6O2)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 전구체조성물1은 그래핀 15~25 중량% 및 이종원소전구체 75~85 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 9 항에 있어서,상기 전구체조성물2는 이종원소가 도핑된 그래핀1 90~99 중량% 및 이종원소전구체 1~10 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체
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제 9 항에 있어서,상기 제2단계에서 1차 열처리는 800~1,200℃에서 30분~2시간 동안 수행되고, 상기 제4단계에서 2차 열처리는 1,200~2,000℃에서 30분~2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속나노와이어는 은, 금, 철, 구리로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나로 이루어지고, 직경 60~150 nm, 길이 10~50 μm인 크기를 갖는 것을 특징으로 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제5단계는 무수용매에 상기 이종원소가 도핑된 그래핀2 및 금속나노와이어를 첨가하여 분산용액을 준비하는 단계; 및 상기 분산용액에서 용매를 제거하는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 분산용액은 상기 이종원소가 도핑된 그래핀2 및 금속나노와이어를 90:10 내지 99:1의 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 고전도성 그래핀복합체의 전기전도도는 이종원소전구체에 포함된 이종원소의 함량, 금속나노와이어의 함량 및 고온열처리 온도에 따라 제어되는 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 고전도성 그래핀복합체의 전기전도도는 전기전도도가 2011 S/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 고전도성 그래핀복합체 제조방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 고전도성 그래핀복합체 또는 제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 고전도성 그래핀복합체를 포함하는 응용제품
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제 22 항에 있어서,에너지저장장치인 것을 특징으로 하는 응용제품
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