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서로 이격되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되고, 제1 반도체 물질을 포함하는 제1 반도체층;상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치되고, 제2 반도체 물질을 포함하는 제2 반도체층; 및상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 사이에 배치되는 제1 단층 그래핀층을 포함하는 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 단층 그래핀층은 0
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층에서 상기 제1 단층 그래핀층이 배치된 반대면에 제2 단층 그래핀층이 더 배치되는 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층에서 상기 제1 단층 그래핀층이 배치된 반대면에 제3 단층 그래핀층이 더 배치되는 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 p 타입 실리콘인 포토 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층은 전이금속 칼코겐 화합물인 포토 다이오드
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제6항에 있어서,상기 제2 반도체층은 1 nm 내지 10 nm의 두께를 가지는 포토 다이오드
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