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페로브스카이트 화합물, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 페로브스카이트 태양전지

  • 기술번호 : KST2022022657
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 페로브스카이트 화합물, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 화합물은, 하기의 화학식 1로 표시되고, 유/무기 양이온 및 음이온을 포함한다: [화학식 1] A1(x)A2(100-x)BX3 (A1은, Cs, Rb, Na, K 및 Li로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 무기 양이온을 포함하고, A2는, FA(formanidinium, CH5N2), MA(methylammonium, CH3NH3) 또는 이 둘을 포함하는 유기 양이온을 포함하고, B는, Pb, Mn, Cu, Ge, Sn, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd 및 Yb로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전이금속을 포함하고, X는, F, I, Br 및 Cl로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 두 개의 유기 및 무기 물질을 포함하고, 10 ≤ x ≤ 20임.)
Int. CL C07F 1/00 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01)
CPC C07F 1/00(2013.01) H01L 51/0032(2013.01) H01L 51/006(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/4293(2013.01) H01L 51/0097(2013.01)
출원번호/일자 1020210066985 (2021.05.25)
출원인 군산대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0159091 (2022.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.25)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 군산대학교산학협력단 대한민국 전라북도 군산시 대학로 *** (

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양정엽 전라북도 군산시 수송로 ***, ***호(

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-0601137-49
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.03.03 수리 (Accepted) 4-1-2022-5052831-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
하기의 화학식 1로 표시되고,유/무기 양이온 및 음이온을 포함하는,페로브스카이트 화합물:[화학식 1]A1(x)A2(100-x)BX3(A1은, Cs, Rb, Na, K 및 Li로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 무기 양이온을 포함하고, A2는, FA(formanidinium, CH5N2), MA(methylammonium, CH3NH3) 또는 이 둘을 포함하는 유기 양이온을 포함하고, B는, Pb, Mn, Cu, Ge, Sn, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd 및 Yb로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전이금속을 포함하고,X는, F, I, Br 및 Cl로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 두 개의 유기 및 무기 물질을 포함하고,10 ≤ x ≤ 20임
2 2
제1항에 있어서,상기 유/무기 양이온은 3개를 포함하고, 상기 음이온은 2개를 포함하는 것인, 페로브스카이트 화합물
3 3
제1항에 있어서,상기 유/무기 양이온은, Cs(cesium), FA(formanidinium, CH5N2) 및 MA(methylammonium, CH3NH3)를 포함하는 것인,페로브스카이트 화합물
4 4
제3항에 있어서,상기 FA : MA의 몰질량 비율은 6 : 4 내지 8 : 2인 것인, 페로브스카이트 화합물
5 5
제1항에 있어서,상기 음이온은, I(iodide) 및 Br(bromide)를 포함하는 것인, 페로브스카이트 화합물
6 6
제5항에 있어서,상기 I가 상기 음이온 중 80 mol% 내지 95 mol%이고,상기 Br이 상기 음이온 중 5 mol% 내지 20 mol%인 것인, 페로브스카이트 화합물
7 7
A1X 화합물 분말을 준비하는 단계;A2X 화합물 분말을 준비하는 단계;상기 A1X 화합물 분말 및 상기 A2X 화합물 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계; 및용매 증발 제어 공정으로 상기 혼합 분말에 반용매(anti-solvent)를 디스펜싱하여 하기의 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는, 페로브스카이트 화합물의 제조방법:[화학식 1]A1(x)A2(100-x)BX3(A1은, Cs, Rb, Na, K 및 Li로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 무기 양이온을 포함하고, A2는, FA(formanidinium, CH5N2), MA(methylammonium, CH3NH3) 또는 이 둘을 포함하는 유기 양이온을 포함하고, B는, Pb, Mn, Cu, Ge, Sn, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd 및 Yb로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전이금속을 포함하고,X는, F, I, Br 및 Cl로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 두 개의 유기 및 무기 물질을 포함하고,10 ≤ x ≤ 20임
8 8
제7항에 있어서,상기 혼합 분말은, 첨가제로 Cl-를 더 포함하는,페로브스카이트 화합물의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 반용매는, 디에틸 에테르, 디-이소프로필 에테르, 클로로벤젠, 아세톤, 프로판-2-올, n-헥산, 톨루엔 및 NMP(n-methyl-2-pyrrolidone)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 화합물의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 용매 제어 증발 공정은, 상기 반용매를 0
11 11
제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되는 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성되는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 페로브스카이트 화합물을 포함하는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 형성되는 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하는,페로브스카이트 태양전지
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 전극은, 유연 투명 전극 기판, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 알루미늄 징크 옥사이드(AZO), 보론 도핑된 징크 옥사이드(BZO), 니오븀 티타늄 옥사이드(NTO), 징크 틴 옥사이드(ZTO) 및 인듐 징크 틴 옥사이드(IZTO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제2 전극은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd) 및 탄소(C)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
13 13
제12항에 있어서,상기 유연 투명 전극 기판은,폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
14 14
제11항에 있어서,상기 전자 수송층은, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, ZnO:Ga, ZnO:N, SnO, SnO2, ITO, TiO2, Cs2CO3, 6,6-페닐-C61-부틸릭엑시드메틸에스터(PCBM(C61)), PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C71), PCBM(C76), PCBM(C80), PCBM(C82), indene-C60 bisadduct(ICBA) 및 6,6-페닐-C61-부틸릭엑시드콜레스테릴에스터(PCBCR) 중에서 선택되는 플러렌 유도체, 폴리벤지미다졸(polybenzimidazole), 페릴렌(perylene), poly[[N,N'-bis(2-octyldodecyl)-napthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,5'-(2,2'-bithiophene)](NDI2OD-T2), naphthalene diimide(NDI)-selenophene copolymer(PNDIS-HD), poly[(E)-2,7-bis(2-decyltetradecyl)-4-methyl-9-(5-(2-(5-methylthiophen-2-yl)vinyl)thiophen-2-yl)benzo[lmn][3,8] phenanthroline-1,3,6,8(2H, 7H)-tetraone] (PNDI-TVT), poly[[N,N′-bis(2-hexyldecyl)naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,5′-thiophene] (PNDI2HD-T), NiOx 및 P형 산화물 반도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제11항에 있어서,상기 정공 수송층은, Spiro-OMeTAL, PTAA (poly(triarylamine), poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine]), PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene doped with poly(styrenesulfonic acid), 사이클로펜타-[2,1-b;3,4-b']-디티오펜 (cyclopenta-[2,1-b;3,4-b']-dithiophene), 벤조티아디아졸 (benzothiadiazole), 디케토피롤로피롤 (diketopyrrolopyrrole), 티에노[3,4-b]티오펜(thieno[3,4-b]thiophene), 벤조디티오펜 (benzodithiophene), 카르바졸 (carbazole), 플루오렌 (fluorene), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate), PS-PAA (polystyrene-polyacrylic acid block copolymer), poly-TPD(Poly(4-butylphenyl-diphenyl-amine)), PPV (polypheylene vinylene), PVP (polyvinylpyrrolidone), NiOx 및 p형 산화물 소재로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
16 16
제11항에 있어서,n-i-p 구조를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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1 과학기술정보통신부 군산대학교산학협력단 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 고효율 투명 페로브스카이트 광전에너지 변환 반도체 소자 연구