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은(Ag) 및 텔루륨(Te), 또는 이의 전구체; 및텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 및 바나듐(V) 중 적어도 하나의 전이금속, 또는 이의 전구체를 포함하는, 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물은 은 30-50 wt%, 텔루륨 35-50 wt% 및 전이금속 1-20 wt%를 포함하는, 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 은(Ag) 및 텔루륨(Te)의 전구체는 은(Ag) 및 텔루륨(Te)의 산화물인, 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물
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제1항에 있어서, 상기 전이금속의 전구체는 상기 전이금속의 산화물인, 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물을 이용하여방사성 요오드를 흡착한 유리 조성물을 포함하는, 방사성 요오드 고화용 유리 조성물
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Ag2O; TeO2; 및 WO3, MoO3 및 V2O5 중 적어도 하나의 전이금속 산화물을 포함하는, 방사성 요오드 고화용 유리 조성물
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제6항에 있어서, 방사성 요오드를 AgI 형태로 추가로 포함하는, 방사성 요오드 고화용 유리 조성물
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제7항에 있어서, 상기 방사성 요오드 고화용 유리 조성물의 조성은 하기 식(1)로 표시되며, 하기 식(1)에서 x는 0 초과 1 이하이며, M은 WO3, MoO3 및 V2O5 중 적어도 하나의 전이금속 산화물인, 방사성 요오드 고화용 유리 조성물:(x)M -(1-x)(0
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 방사성 요오드 흡착용 유리 조성물을 이용하여방사성 요오드를 흡착하는 단계; 및방사성 요오드를 흡착한 방사성 요오드 고화용 유리 조성물을 고화하는 단계를 포함하는, 방사성 요오드의 흡착 및 고화 방법
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