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제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 질화지르코늄막을 포함하고,상기 질화지르코늄막은 ZrNx 막으로 x는 1보다 큰, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 1에 있어서,상기 ZrNx 막에서 x는 2 이하인, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 1에 있어서,상기 개시스터는 상기 질화지르코늄막 내에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 질소공공 필라멘트를 생성하여 저저항 상태로 변화된 상태에서 산화질소를 검출하는, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 3에 있어서,상기 개시스터는 산화질소에 노출되면 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 흐르는 전류가 감소하는, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 4에 있어서,상기 전류의 감소는 상기 질소공공 필라멘트의 적어도 일부가 산화질소와 반응하여 끊기거나 폭이 좁아짐에 기인하는, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 5에 있어서,상기 개시스터는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 셋전압을 인가하여 상기 끊기거나 폭이 좁아진 질소공공 필라멘트를 재생하는, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 1에 있어서,상기 질화지르코늄막을 덮는 산화질소 투과막을 더 포함하는, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 7에 있어서,상기 산화질소 투과막은 아민기를 갖는 박막인, 산화질소 검출용 개시스터
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청구항 1에 있어서,상기 산화질소는 일산화질소인, 산화질소 검출용 개시스터
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제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 질화지르코늄막을 포함하고, 상기 질화지르코늄막은 ZrNx 막으로 x는 1보다 큰 개시스터를 제공하는 단계;상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압을 인가하여 상기 질화지르코늄막 내에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 질소공공 필라멘트를 생성하여, 상기 개시스터를 저저항 상태로 변화시키는 단계;상기 저저항 상태로 변화된 개시스터를 산화질소를 함유하는 가스에 노출시킨 후 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 흐르는 전류 또는 저항을 측정하는 단계를 포함하는, 산화질소 검출방법
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청구항 10에 있어서,상기 ZrNx 막에서 x는 2 이하인, 산화질소 검출방법
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청구항 10에 있어서,상기 개시스터는 산화질소에 노출되면 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 흐르는 전류가 감소하는, 산화질소 검출방법
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청구항 12에 있어서,상기 전류의 감소는 상기 질소공공 필라멘트의 적어도 일부가 산화질소와 반응하여 끊기거나 폭이 좁아짐에 기인하는, 산화질소 검출방법
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청구항 13에 있어서,상기 개시스터는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 셋전압을 인가하여 상기 끊기거나 폭이 좁아진 질소공공 필라멘트를 재생하는, 산화질소 검출방법
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청구항 10에 있어서,상기 개시스터는 상기 질화지르코늄막을 덮는 산화질소 투과막을 더 포함하는, 산화질소 검출방법
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청구항 15에 있어서,상기 산화질소 투과막은 아민기를 갖는 박막인, 산화질소 검출방법
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청구항 10에 있어서,상기 산화질소는 일산화질소인, 산화질소 검출방법
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