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BiCuSeO계 열전재료 또는 Bi2O2Se계 열전재료를 포함하는 비금속 산화물 세라믹 열전재료와 Pd 및 질산을 포함하는 Pd 용액을 준비하는 단계;상기 비금속 산화물 세라믹 열전재료를 상기 Pd 용액에 침지시키고 초음파를 가하여 상기 비금속 산화물 세라믹 열전재료 상에 Pd 촉매를 전처리하는 단계;상기 Pd 촉매가 전처리된 비금속 산화물 세라믹 열전재료 상에 무전해 도금법을 이용하여 확산 방지층을 형성하는 단계; 및상기 확산 방지층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 열전소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Pd 용액의 순도는 50 vol% 내지 100 vol%인 열전소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Pd 용액 내 질산은 0
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제1항에 있어서,상기 비금속 산화물 세라믹 열전재료 상에 Pd 촉매를 전처리하는 단계 이전에,상기 비금속 산화물 세라믹 열전재료 표면을 연마 및 에칭하는 단계;를 더 포함하는 열전소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 비금속 산화물 세라믹 열전재료 상에 Pd 촉매를 전처리하는 단계에서, 상기 초음파를 60분 내지 120분 동안 가하는 열전소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무전해 도금은 80℃ 내지 90℃의 온도 범위 내에서 100분 내지 120분 동안 수행되는 열전소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 확산 방지층은 Ni, Ti 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 열전소자의 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 열전소자의 제조방법에 의해 제조된 열전소자
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