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(A) 일면에 미세 요철(凹凸) 구조를 가지는 유리 기판을 준비하는 단계; (B) 상기 유리 기판의 미세 요철 구조를 가지는 일면에 주석(Sn) 코팅층을 형성하는 단계; (C) 상기 주석 코팅층 상에 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 코팅층을 형성하는 단계; 및 (D) 상기 주석 코팅층의 주석 이온을 ITO 코팅층 내로 확산시키는 단계;를 포함하는 3차원 투명 전도막 제조방법
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(a) 일면에 미세 요철(凹凸) 구조를 가지는 유리 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 유리 기판의 미세 요철 구조를 가지는 일면에 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 코팅층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 ITO 코팅층 상에 주석(Sn) 코팅층을 형성하는 단계; (d) 상기 주석 코팅층의 주석 이온을 ITO 코팅층 내로 확산시키는 단계;를 포함하는 3차원 투명 전도막 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (A) 또는 단계 (a)에서 건식 에칭 또는 습식 에칭을 통해 일면에 미세 요철(凹凸) 구조를 가지는 유리 기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 3차원 투명 전도막 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 진공도 6×10-7 Torr 이하의 챔버 내에서 실시하는 RF-스퍼터링(RF-Sputtering)을 통해 주석 코팅층 및 ITO 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 투명 전도막 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (D) 또는 단계 (d)에서 주석 코팅층 및 ITO 코팅층을 열처리하여 주석 코팅층의 주석 이온을 ITO 코팅층 내로 확산시켜 ITO 코팅층 내의 주석 도핑 농도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 3차원 투명 전도막 제조방법
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제1항 또는 제2항에 따른 제조방법에 의해 제조된 3차원 투명 전도막
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제6항에 있어서, 면저항(sheet resistance)이 6 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 3차원 투명 전도막
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