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광 에너지를 흡수하여 게이트와 소스 및 드레인 전극에 의해 전류가 형성되는 광활성층을 포함하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터에 있어서,상기 광활성층은,서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 적어도 두개의 화합물이 소정의 오버랩 영역을 가지도록 적층되어 영역별로 서로 다른 파장대의 광 에너지를 흡수하는 것을 특징으로 하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 광활성층의 화합물은 유기화합물인 것을 특징으로 하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 유기화합물은 분자량이 100,000개 이하의 저분자 물질인 것을 특징으로 하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터
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제3항에 있어서,상기 저분자 물질은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 n-type 물질과 p-type 물질인 것을 특징으로 하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 저분자 물질은 p-type 물질과 n-type 물질 중 어느 하나가 나머지 화합물에 대하여 상대적으로 에너지가 낮은 파장 대역을 흡수하는 것을 특징으로 하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터
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광 에너지를 흡수하여 게이트와 소스 및 드레인 전극에 의해 전류가 형성되는 광활성층을 포함하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터의 제조 방법에 있어서,결정질 실리콘, 금속, 및 금속 산화물 중 어느 하나로 게이트 전극이 형성되는 게이트 전극 형성 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층이 형성되는 게이트 절연층 형성 단계;상기 게이트 절연층 상에 적층되어 게이트 절연층에서 발생하는 전하의 이동을 억제하는 트랩 방지층이 형성되는 트랩 방지층 형성 단계;상기 트랩 방지층 상에 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 적어도 두개의 n-type과 p-type 유기화합물이 소정 부분 오버랩이 되도록 적층되어 서로 다른 파장대의 광 에너지를 흡수하는 영역을 갖는 광활성층이 적층되는 광활성층 형성 단계; 및상기 광활성층 양단에 각각 소스 및 드레인 전극이 구비되는 소스 및 드레인 전극 형성 단계를 포함하는 광파장 에너지 감별형 포토트랜지스터의 제조 방법
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