| 1 |
1
광 에너지를 흡수하여 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극에 의해 전류가 형성되는 광활성층을 포함하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터에 있어서,상기 광활성층은,N-type의 2차원 화합물과 P-type의 2차원 화합물이 이종구조로 구비되고, 상기 포토트랜지스터는,외부로부터 펄스(Pulse)형태로 인가되는 광 에너지 및 게이트 전극에 인가되는 전압 중 적어도 하나의 변동에 따른 전류 특성을 도출하여 도출된 전류 특성으로 뉴런의 시냅스 활동을 전기적으로 모사하는 것을 특징으로 하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 광활성층은 상기 N-type의 2차원 화합물과 P-type의 2차원 화합물이 소정의 오버랩 영역을 가지도록 적층됨에 따라 N-type 영역, P-type 영역, 및 오버랩 영역을 포함하고,상기 N-type 영역, P-type 영역, 및 오버랩 영역 각각은 서로 다른 파장대의 광 에너지를 흡수하는 것을 특징으로 하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 N-type의 2차원 화합물과 P-type의 2차원 화합물 각각은 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 N-type의 2차원 화합물은 MoSe2 이고, P-type의 2차원 화합물은 WSe2 인 것을 특징으로 하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 뉴런의 시냅스 활동은 시냅스전 뉴런과 시냅스후 뉴런이 시냅스를 통해 신호를 전달하는 능력이 증가하는 장기 강화(Long-term Potentiation) 및 신호를 전달하는 능력이 감소하는 장기 억압(Long-term Depression) 중 하나인 것을 특징으로 하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터
|
| 6 |
6
제1항의 광 에너지를 흡수하여 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극에 의해 전류가 형성되는 광활성층을 포함하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터의 제조 방법에 있어서,결정질 실리콘, 금속, 및 금속 산화물 중 어느 하나로 게이트 전극이 형성되는 게이트 전극 형성 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층이 형성되는 게이트 절연층 형성 단계;상기 게이트 절연층 상에 N-type의 2차원 화합물인 MoSe2와 P-type의 2차원 화합물인 WSe2의 이중구조가 형성되는 광활성층 형성 단계; 및상기 광활성층 양단에 각각 소스 및 드레인 전극이 구비되는 소스 및 드레인 전극 형성 단계를 포함하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 광활성층 형성 단계는 상기 N-type의 2차원 화합물과 P-type의 2차원 화합물이 소정의 오버랩 영역을 가지도록 적층됨에 따라 N-type 영역, P-type 영역, 및 오버랩 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 시냅스 모방 이종 인터페이스 포토트랜지스터의 제조 방법
|
