| 1 |
1
지지 기판의 일면에 금속무기염으로 이루어진 금속무기염 박막층을 배치하는 단계; 를 포함하는 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속무기염 박막층은, 빛 에너지를 조사하면 산화물 가스를 외부로 방출하는 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 금속무기염 박막층은, 금속 양이온, 음이온 및 금속산화물 나노입자를 포함하고, 상기 금속무기염 박막층을 형성하는 단계는, 상기 금속산화물 나노입자가 분산된 무기바인더를 상기 지지 기판의 일면에 코팅 및 열처리하여 나노입자를 성막하는 단계; 및상기 금속 양이온과 음이온이 조합된 금속무기염 박막을 형성하는 단계를 포함하는 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 금속 양이온과 음이온이 조합된 금속무기염 박막을 형성하는 단계는,상기 금속 양이온의 전구체와 산화물 가스 및 산소 또는 오존을 반응시키고 열처리하는기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 금속 양이온은, Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, In, Sn, Cs, Ba, Hf, Ta, W, Re, Os, Pt, Au 중 어느 하나를 포함하고, 상기 음이온은, 카르보네이트 (CO32-), 술포네이트 (SO42-), 나이트레이트 (NO3-) 중 어느 하나를 포함하는 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자는, TiO2, ZnO, WO3, CdSe, Fe2O3, Bi2WO6, BiVO4, CdS, TaNO, Cu2O, CuO 중 어느 하나를 포함하는 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는, 광학 밴드갭이 1
|
| 8 |
8
제2항에 있어서, 상기 금속무기염 박막층의 일면 및 상기 금속무기염 박막층의 타면 중 적어도 하나에 탈착보조층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 탈착보조층은, Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Mo, Ag 중 어느 하나로 이루어진 금속 박막이거나, 그래핀, 그래파이트, 탄소나노튜브 중 어느 하나로 이루어진 열전도성 박막인 기판 탈착용 박막의 제조방법
|
| 10 |
10
지지 기판; 및금속무기염으로 형성되고, 상기 지지 기판의 일면에 배치된 금속무기염 박막층; 을 포함하고, 상기 금속무기염 박막층은, 빛 에너지를 조사하면 산화물 가스를 외부로 방출하는 기판 탈착용 박막
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 금속무기염 박막층은, 금속 양이온, 음이온 및 금속산화물 나노입자를 포함하는 기판 탈착용 박막
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 금속무기염 박막층의 일면 또는 금속무기염 박막층의 타면에 배치된 탈착보조층;을 더 포함하는 기판 탈착용 박막
|
