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애노드; 캐소드; 및 상기 애노드 및 캐소드 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하고,상기 1층 이상의 유기물층은 정공수송 영역, 발광층 및 전자수송 영역을 포함하고,상기 발광층은 하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자: [화학식 1][화학식 2](상기 화학식 1 및 2에서,R1은 C1~C20의 알킬기이고,a는 0 내지 2의 정수이며,b는 0 내지 3의 정수이고,R2 및 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1~C20의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 핵원자수 5 내지 20개의 헤테로아릴기, C1~C20의 알킬옥시기 및 C6~C20의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택되고,R4 및 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 C1~C20의 알킬기이고, 다만 R4 및 R5 중 적어도 어느 하나는 C1~C20의 알킬기이며,c 및 d는 각각 0 내지 8의 정수이고, e 및 f는 각각 0 내지 4의 정수이며,R6 내지 R9는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, C1~C20의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 20개의 헤테로시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 핵원자수 5 내지 20개의 헤테로아릴기, C1~C20의 알킬옥시기 및 C6~C20의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택됨)
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물 및 상기 화학식 2로 표시되는 호소트는 1:99 ~ 30:70 중량비로 포함되는 것인, 유기 전계 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물은 하기 화학식 1a로 표시되는 이리듐 착물인, 유기 전계 발광 소자:[화학식 1a](상기 화학식 1a에서,상기 R1, R4 및 R5는 각각 제1항에 정의된 바와 같음)
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물의 모이어티는 모이어티의 평면에 대해 0 내지 90 °의 각도로 벤젠 모이어티에 결합하는 것인, 유기 전계 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 모이어티는 모이어티의 평면에 대해 직교(orthogonal)하여 벤젠 모이어티에 결합하는 것인, 유기 전계 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 R1, R4 및 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기 또는 sec-부틸기, 및 tert-부틸기로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 유기 전계 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착물은 하기 화학식 1b 또는 1c로 표시되는 이리듐 착물인, 유기 전계 발광 소자:[화학식 1b][화학식 1c](상기 화학식 1b 및 1c에서,Me는 메틸기임)
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제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2a로 표시되는 화합물인, 유기 전계 발광 소자:[화학식 2a](상기 화학식 2a에서,c, d, R6 및 R7은 각각 제1항에 정의된 바와 같음)
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,CIE 좌표의 x값이 0
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