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베이스기판;상기 베이스기판 상에 이격되어 절연소재로 형성된 복수의 나노필라 구조체; 및상기 나노필라 구조체 상에 형성된 플라즈모닉 박막;을 포함하고,상기 베이스기판의 영률(Young’modulus)은 상기 나노필라 구조체의 영률의 8배 이상인,3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 베이스기판 상에 플라즈모닉 박막이 직접적으로 형성되는 부분을 포함하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제2항에 있어서,상기 베이스기판 상에 플라즈모닉 박막이 직접적으로 형성되는 부분에 플라즈모닉 나노홀을 포함하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제3항에 있어서,상기 플라즈모닉 박막이 형성된 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부는 상기 플라즈모닉 나노홀과 수직 플라즈모닉 나노캐비티 구조를 형성하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제3항에 있어서,상기 플라즈모닉 박막이 형성된 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부는 타원형으로 상기 플라즈모닉 나노홀과 100 nm 이하로 이격되는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 박막이 형성된 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부는 타원형이며, 상기 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부 사이에 수평 플라즈모닉 나노캐비티 구조를 형성하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 박막이 형성된 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부는 타원형으로 상기 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부 사이는 10 nm 이하인, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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8
제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 박막이 형성된 플라즈모닉 나노필라 구조체는 상부가 타원형이고 중심부의 폭은 상부의 폭 및 하부의 폭보다 작은 모래시계 형상인, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 플라즈모닉 박막이 형성된 플라즈모닉 나노필라 구조체는 평균밀도가 40/μm2 내지 80/μm2인, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 베이스기판은 영률이 10 GPa 초과인, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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제1항에 있어서,상기 절연소재는 영률이 1 GPa 이하인, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판
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1) 베이스기판을 준비하는 단계;2) 상기 베이스기판 상에 절연소재로 절연막을 형성하는 단계;3) 상기 절연막을 에칭하여 상기 베이스기판 상에 이격된 복수의 나노필라 구조체를 형성하는 단계; 및4) 상기 나노필라 구조체 상에 플라즈모닉 박막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 베이스기판의 영률(Young’modulus)은 상기 나노필라 구조체의 영률의 8 배 이상인, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 단계 4)에서 절연막 에칭 시 노출된 베이스기판 상에 플라즈모닉 박막이 직접적으로 형성되는 것을 포함하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 단계 4)에서 상기 베이스기판 상에 플라즈모닉 박막이 직접적으로 형성되는 부분에 플라즈모닉 나노홀이 형성되는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 단계 4)에서 상기 플라즈모닉 박막이 형성된 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부는 상기 플라즈모닉 나노홀과 수직 플라즈모닉 나노캐비티 구조를 형성하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 단계 4)에서 상기 플라즈모닉 박막이 형성된 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부는 타원형이며, 상기 복수의 플라즈모닉 나노필라 구조체의 상부 사이에 수평 플라즈모닉 나노캐비티 구조를 형성하는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 단계 4)에서 상기 나노필라 구조체 상부는 마스크 역할을 하여 플라즈모닉 나노필라 구조체는 상부가 타원형이고 중심부의 폭은 상부의 폭 및 하부의 폭보다 작은 모래시계 형상으로 형성되는, 3차원 플라즈모닉 나노캐비티를 포함하는 기판의 제조방법
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