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광 변조 소자 및 이를 이용한 위상 변조 방법

  • 기술번호 : KST2022023083
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반사판, 상기 반사판 상의 절연막, 상기 절연막 상에서 제1 방향을 따라 배열되고, 서로 평행하게 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 유전체 패턴들, 및 상기 유전체 패턴들 사이에 제공되며, 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 배열되는 제1 그래핀 패턴들 및 제2 그래핀 패턴들을 포함하되, 상기 유전체 패턴들 및 상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들은 상기 절연막의 상면을 완전히 덮고, 상기 제1 그래핀 패턴들 중 하나를 사이에 두고 상기 제1 방향으로 인접하는 두 개의 유전체 패턴들은 하나의 유전체 패턴 쌍을 이루고, 상기 유전체 패턴 쌍은 복수로 제공되고, 상기 유전체 패턴 쌍들은 상기 제2 그래핀 패턴들 중 하나를 사이에 두고 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 제2 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭과 다른 광 변조 소자 및 이를 이용한 위상 변조 방법을 개시한다.
Int. CL G02F 1/03 (2006.01.01) G02F 1/015 (2006.01.01) G02F 1/01 (2006.01.01)
CPC G02F 1/0338(2013.01) G02F 1/0151(2013.01) G02F 1/0126(2013.01) G02F 2202/30(2013.01)
출원번호/일자 1020210069837 (2021.05.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0161741 (2022.12.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.31)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장민석 대전광역시 유성구
2 김주영 대전광역시 유성구
3 박주호 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2021-0624290-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
반사판;상기 반사판 상의 절연막;상기 절연막 상에서 제1 방향을 따라 배열되고, 서로 평행하게 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 유전체 패턴들; 및상기 유전체 패턴들 사이에 제공되며, 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 배열되는 제1 그래핀 패턴들 및 제2 그래핀 패턴들을 포함하되,상기 유전체 패턴들 및 상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들은 상기 절연막의 상면을 완전히 덮고,상기 제1 그래핀 패턴들 중 하나를 사이에 두고 상기 제1 방향으로 인접하는 두 개의 유전체 패턴들은 하나의 유전체 패턴 쌍을 이루고,상기 유전체 패턴 쌍은 복수로 제공되고,상기 유전체 패턴 쌍들은 상기 제2 그래핀 패턴들 중 하나를 사이에 두고 상기 제1 방향으로 이격되고,상기 제1 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 제2 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭과 다른 광 변조 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들 각각은 상기 유전체 패턴들의 측벽들과 양쪽에서 직접 접촉하는 광 변조 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유전체 패턴들은 상기 절연막의 상면과 직접 접촉하는 광 변조 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들 각각은 단일 층 구조 또는 2개 내지 10개의 층들이 적층된 다층 구조를 갖는 광 변조 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 유전체 패턴 쌍들은 상기 제1 방향을 따라 주기적으로 배열되는 광 변조 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제1 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭 및 상기 제2 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 그래핀 플라즈몬이 상기 유전체 패턴들 사이에서 패브리 페로(Fabry-Perot) 공진하도록 미리 결정되는 광 변조 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 유전체 패턴들은 제1 유전체 패턴들 및 상기 제1 유전체 패턴들과 상기 제2 방향으로 마주보며 상기 제2 방향으로 서로 이격되는 제2 유전체 패턴들을 포함하는 광 변조 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 반사판은 금속 물질 또는 도전성 금속 질화물을 포함하는 광 변조 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 유전체 패턴들은 실리콘(Si)을 포함하는 광 변조 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 유전체 패턴들 각각의 두께 및 상기 제1 방향으로의 폭은 동일한 광 변조 소자
11 11
반사판, 상기 반사판 상의 절연막, 상기 절연막 상에서 제1 방향을 따라 배열되고, 서로 평행하게 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 유전체 패턴들, 및 상기 유전체 패턴들 사이에 제공되며, 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 배열되는 제1 그래핀 패턴들 및 제2 그래핀 패턴들을 포함하는 광 변조 소자를 이용한 위상 변조 방법에 있어서,상기 광 변조 소자로 광을 입사시키는 것;상기 광 변조 소자 상에 서로 다른 제1 공진 및 제2 공진을 형성하는 것;상기 제1 공진 및 상기 제2 공진의 교차 회피 현상을 이용하는 것; 및공진 주파수를 능동적으로 크게 바꾸는 제1 조건, 공진 스펙트럼의 반치전폭(FWHM)을 줄이는 제2 조건 및 진폭을 일정하게 유지하는 제3 조건을 동시에 만족시키며 광의 위상을 변조하는 것을 포함하는 위상 변조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제1 공진은 상기 제2 공진에 비해 빨리 움직이고,상기 제1 공진은 그래핀 플라즈몬(graphene plasmon)인 위상 변조 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 제2 공진은 상기 제1 공진에 비해 스펙트럼이 얇고,상기 제2 공진은 qBIC(quasi-bound states in the continuum)인 위상 변조 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 제1 공진의 전기장 분포 및 상기 제2 공진의 전기장 분포는 적어도 일부가 서로 겹치는 위상 변조 방법
15 15
제 11 항에 있어서,광의 위상의 변화량은 2π 내지 4π인 위상 변조 방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들의 그래핀 이동도(graphene mobility)가 커질수록 광의 복소 진폭의 절댓값이 커지는 위상 변조 방법
17 17
제 11 항에 있어서,상기 제1 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 제2 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭과 다른 위상 변조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 제1 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭 및 상기 제2 그래핀 패턴들 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 그래핀 플라즈몬이 상기 유전체 패턴들 사이에서 패브리 페로(Fabry-Perot) 공진하도록 미리 결정되는 위상 변조 방법
19 19
제 11 항에 있어서,상기 유전체 패턴들 및 상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들은 상기 절연막의 상면을 완전히 덮는 위상 변조 방법
20 20
제 11 항에 있어서,상기 제1 및 제2 그래핀 패턴들 각각은 상기 유전체 패턴들의 측벽들과 양쪽에서 직접 접촉하고,상기 유전체 패턴들은 상기 절연막의 상면과 직접 접촉하는 위상 변조 방법
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