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스테인리스 강을 용접하여 형성된 용접부의 내부식성을 향상시키는 방법으로서,상기 용접부를 포함하는 스테인리스 강을 양극으로 사용하는 전기화학 셀의 상기 양극 및 음극을 불화 암모늄 및 증류수를 포함하는 에틸렌 글리콜 기반의 전해질 용액에 침지하는 단계;정전류 밀도에서 양극 산화를 수행하여 상기 용접부 표면에 나노 기공 구조의 산화막을 형성하는 단계; 및상기 용접부를 포함하는 스테인리스 강을 열처리하는 단계;를 포함하는, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 정전류 밀도는 10 mA/m2 내지 200 mA/m2인, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 480℃ 내지 600℃에서 수행되는, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 30분 내지 120분 동안 수행되는, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는상기 용접부 표면 및 상기 나노 기공 구조의 산화막 사이에 열 산화막을 형성하는, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는상기 나노 기공 구조의 산화막을 결정화하여 마그네타이트를 형성하는, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 스테인리스강은 오스테나이트계 스테인리스강을 포함하는, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제7항에 있어서,상기 오스테나이트계 스테인리스강은 STS 304인, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 기공 구조의 산화막의 두께는 1 μm 내지 3 μm인, 스테인리스 강 용접부의 내부식성 향상 방법
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스테인리스 강으로 구성된 핵연료 건식 저장용 캐니스터 용접부의 내부식성을 향상시키는 방법으로서,상기 용접부를 양극으로 사용하는 전기화학 셀의 상기 양극 및 음극을 불화 암모늄 및 증류수를 포함하는 에틸렌 글리콜 기반의 전해질 용액에 침지하는 단계;정전류 조건에서 양극 산화를 수행하여 상기 용접부 표면에 나노 기공 구조의 산화막을 형성하는 단계; 및상기 용접부를 열처리하는 단계;를 포함하는, 핵연료 건식 저장용 캐니스터의 용접부의 내부식성 향상 방법
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제10항에 있어서,상기 정전류 밀도는 10 mA/m2 내지 200 mA/m2인, 핵연료 건식 저장용 캐니스터의 용접부의 내부식성 향상 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리는 480℃ 내지 600℃에서 수행되는, 핵연료 건식 저장용 캐니스터의 용접부의 내부식성 향상 방법
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캐스크(cask) 내에 설치되고 내부에 핵연료를 밀폐하는 핵연료 건식 저장용 캐니스터로서, 스테인리스강을 용접하여 형성한 원통형으로 용접부를 포함하고,상기 용접부는 제9항의 방법으로 내부식성 향상처리된 것을 특징으로 하는, 핵연료 건식 저장용 캐니스터
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제13항에 있어서,상기 용접부는 표면 상에 형성된 나노 기공 구조의 마그네타이트를 포함하는 결정질 산화막;을 포함하는, 핵연료 건식 저장용 캐니스터
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제14항에 있어서,상기 용접부는 표면 및 상기 결정질 산화막 사이에 형성된 열 산화막을 더 포함하는, 핵연료 건식 저장용 캐니스터
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