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핵산 및 플루오로 아릴(fluoro aryl) 화합물을 포함하는 핵산 형광 표지용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 핵산은 DNA 및 RNA 중에서 선택되는 어느 하나이며, 아데노신(adenosine)을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 핵산은 단일 가닥 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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제 3항에 있어서,상기 핵산은 단일가닥(single strand), 헤어핀(hairpin), G 사중가닥(g-quadruplex) 구조 중에서 선택되는 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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제 4항에 있어서,상기 헤어핀 구조를 갖는 핵산은 루프(loop) 구조체 내에 하나 이상의 아데노신을 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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제 4항에 있어서,상기 G 사중가닥 구조를 갖는 핵산은 수소결합이 불가능한 단일 가닥 영역에 하나 이상의 아데노신을 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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7
제 1항에 있어서,상기 플루오로 아릴 화합물은 플루오로기(F-*, fluoro)를 기준으로 오쏘(ortho-) 위치 또는 파라(para-) 위치에 전자받개 작용기(electroattractive group)가 결합된 화합물인 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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8
제 1항에 있어서,상기 조성물은 염기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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제 8항에 있어서,상기 염기는 탄산칼륨(K2CO3), NaH, 제3인산칼륨(K3PO4), 인산완충액(Phosphate buffer) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지용 조성물
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(a) 용매에 핵산과 플루오로 아릴 화합물을 혼합하는 단계; 및(b) 상기 핵산과 상기 플루오로 아릴을 반응시키는 단계를 포함하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 10항에 있어서,상기 반응은 친핵성 아로마틱 치환반응인 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 10항에 있어서,상기 핵산은 DNA 및 RNA 중에서 선택되는 어느 하나이며, 아데노신(adenosine)을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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13
제 10항에 있어서,상기 핵산은 단일 가닥 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산 형광 표지 방법
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제 13항에 있어서,상기 핵산은 단일가닥, 헤어핀, G 사중가닥 구조 중에서 선택되는 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 14항에 있어서, 상기 헤어핀 구조를 갖는 핵산은 루프 구조체 내에 하나 이상의 아데노신을 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 14항에 있어서,상기 G 사중가닥 구조를 갖는 핵산은 수소결합이 불가능한 단일 가닥 영역에 하나 이상의 아데노신을 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 10항에 있어서,상기 플루오로 아릴 화합물은 플루오로기를 기준으로 오쏘 위치 또는 파라 위치에 전자받개 작용기가 결합된 화합물인 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 10항에 있어서,상기 (a)단계는 염기를 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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제 18항에 있어서,상기 염기는 탄산칼륨(K2CO3), NaH, 제3인산칼륨(K3PO4), 인산완충액(Phosphate buffer) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 핵산의 형광 표지 방법
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