| 1 |
1
RF(Radio Frequency) 전력을 공급하여 플라즈마 캐미스트리를 제어하는 제1RF전력부(110) 및 RF(Radio Frequency) 전력을 공급하여 이온의 에너지를 제어하는 제2RF전력부(120)를 포함하며, 챔버(10) 내부에 구비된 식각부재(20)를 플라즈마를 이용하여 식각하는 식각부(100);상기 챔버(10)에 구비되며, 상기 챔버(10) 내부의 광 신호를 검출하는 광센서부(200); 및상기 광센서부(200)로부터 검출된 광 신호로부터 추출된, 상기 식각부(100)에 의해 식각된 부산물에 의한 광 파장의 세기를 근거로, 상기 식각부(100)의 듀티 사이클(duty cycle, duty ratio), 펄스 주파수(pulse frequency) 및 변조신호의 위상차 중 선택되는 적어도 어느 하나의 제어변수를 변화시켜 플라즈마 식각을 제어하는 제어부(300);를 포함하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제어부(300)는상기 식각부(100)에 의해 식각된 부산물에 의한 광 파장의 세기를 근거로 식각률을 구하고, 미리 저장된 데이터 세트와 식각률을 비교하여, 식각률이 최대가 되도록 상기 식각부(100)의 듀티 사이클(duty cycle, duty ratio), 온오프 주기(On-off cycle) 및 펄스 주파수(pulse frequency) 중 선택되는 적어도 어느 하나의 제어변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제어부(300)는일정 시간 주기로 상기 제어변수를 현재 제어변수의 값 보다 크거나 작게 변화시키고, 변화된 제어변수 값과 현재 제어변수 값 중 광 파장의 세기를 근거로 측정된 플라즈마 식각률이 더 큰 제어변수 값을 적용하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 장치
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 제어부(300)는미리 결정된 제어변수 값을 근거로, 현재 제어변수의 값과 인접한 제어변수값으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 장치
|
| 5 |
5
컴퓨터를 포함하는 연산처리수단에 의하여 실행되는 프로그램 형태로 이루어지는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법에 있어서,챔버(10) 내부의 광 신호를 검출하는 광센싱 단계(S10);상기 광센싱 단계(S10)로부터 검출된 광 신호로부터, 식각부(100)에 의해 식각된 부산물에 의한 광 파장을 추출하는 광파장추출 단계(S20); 및상기 광파장추출 단계(S20)로부터 추출된 광 파장의 세기를 근거로, 상기 식각부(100)의 듀티 사이클(duty cycle, duty ratio), 온오프 주기(On-off cycle) 및 펄스 주파수(pulse frequency) 중 선택되는 적어도 어느 하나의 제어변수를 변화시켜 플라즈마 식각을 제어하는 식각제어 단계(S30);를 포함하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 식각제어 단계(S30)는상기 식각부(100)에 의해 식각된 부산물에 의한 광 파장의 세기를 근거로 식각률을 구하고, 미리 저장된 데이터 세트와 식각률을 비교하여, 식각률이 최대가 되도록 상기 식각부(100)의 듀티 사이클(duty cycle, duty ratio), 온오프 주기(On-off cycle) 및 펄스 주파수(pulse frequency) 중 선택되는 적어도 어느 하나의 제어변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 식각제어 단계(S30)는일정 시간 주기로 상기 제어변수를 현재 제어변수의 값 보다 크거나 작게 변화시키고, 변화된 제어변수 값과 현재 제어변수 값 중 광 파장의 세기를 근거로 측정된 플라즈마 식각률이 더 큰 제어변수 값을 적용하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 식각제어 단계(S30)는미리 결정된 제어변수 값을 근거로, 현재 제어변수의 값과 인접한 제어변수값으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,제 5 항 내지 제 8 항 중 선택되는 어느 한 항에 기재된 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법을 구현하기 위한 프로그램이 저장된 컴퓨터 판독 가능한 기록매체
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,제 5 항 내지 제 8 항 중 선택되는 어느 한 항에 기재된 고종횡비 컨택홀 식각 공정에 적용 가능한 적응형 펄스 공정 방법을 구현하기 위한 컴퓨터 판독 가능한 기록매체에 저장된 프로그램
|
