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반도체 기판;상기 반도체 기판에 형성된 제1 반도체 소자;상기 반도체 기판 및 상기 제1 반도체 소자를 덮는 유전체층;상기 유전체층 내에 형성되는 배선 구조; 및상기 유전체층 상에 형성되고, 이차원 반도체 물질을 포함하는 씨드층 및 상기 씨드층 상의 결정화된 반도체층을 포함하는 제2 반도체 소자;를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로
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제1 항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은, 금속 칼코게나이드계 물질, 탄소 함유 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로
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제1 항에 있어서, 상기 반도체층은, 상기 반도체 기판을 이루는 반도체 물질보다 높은 전하 이동도를 갖는 반도체 물질을 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로
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제1 항에 있어서,상기 반도체층은, 게르마늄, 상기 게르마늄을 포함하는 화합물 반도체 물질, 및 칼코겐 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로
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제1 항에 있어서,상기 반도체 기판은, 실리콘을 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로
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반도체 기판에 제1 반도체 소자를 형성하는 단계;상기 반도체 기판 및 상기 제1 반도체 소자를 덮는 유전체층과 상기 유전체층 내의 배선 구조를 형성하는 단계;상기 유전체층 상에 이차원 반도체 물질을 포함하는 씨드 구조를 형성하는 단계; 및상기 씨드 구조 상에 결정화된 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 씨드 구조를 형성하는 단계는,성장 기판 상에 형성된 상기 씨드 구조를 상기 유전체층 상에 전사하거나 상기 유전체층 상에 상기 씨드 구조를 직접 형성하는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 씨드 구조는, 상기 이차원 반도체 물질로 이루어진 복수의 아일랜드형 구조물들을 포함하거나 상기 이차원 반도체 물질로 이루어진 필름 형상을 갖는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은, 금속 칼코게나이드계 물질, 탄소 함유 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 결정화된 반도체층은, 상기 반도체 기판을 이루는 반도체 물질보다 높은 전하 이동도를 갖는 반도체 물질을 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 결정화된 반도체층은, 게르마늄, 상기 게르마늄을 포함하는 화합물 반도체 물질, 및 칼코겐 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 결정화된 반도체층을 형성하는 단계는,450℃ 이하의 온도에서 이루어지는 열처리를 통해 실시되는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 반도체 기판은, 실리콘을 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로의 제조 방법
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